申请/专利权人：中环新能(安徽)先进电池制造有限公司

申请日：2023-07-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220627812U

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种电池背面复合膜层和TOPCon电池；复合膜层内穿设有金属电极，所述复合膜层覆盖在硅基体的背面，复合膜层内穿设有金属电极，复合膜层包括掺杂BSF层、氧化铝钝化层、隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂BSF层设于硅基体的背面，隧穿氧化层设于掺杂BSF层的背面，氧化铝钝化层设于隧穿氧化层的背面，掺杂多晶硅层设于氧化铝钝化层和隧穿氧化层之间，金属电极穿设氧化铝钝化层，金属电极插入掺杂多晶硅层内；通过在TOPCon电池的硅基体背面上引入包括掺杂BSF层和氧化铝钝化层的复合膜层，可以改变掺杂多晶硅层的接触区域和非接触区域的厚度和掺杂浓度，降低多晶硅对光的寄生吸收，实现电池效率的最佳化。

主权项：1.一种电池背面复合膜层，所述复合膜层覆盖在硅基体1的背面，所述复合膜层内穿设有金属电极7，其特征在于，所述复合膜层包括掺杂BSF层8、氧化铝钝化层5、隧穿氧化层3和掺杂多晶硅层4，所述掺杂BSF层8设于所述硅基体1的背面，所述隧穿氧化层3设于所述掺杂BSF层8的背面，所述氧化铝钝化层5设于所述隧穿氧化层3的背面，所述掺杂多晶硅层4设于所述氧化铝钝化层5和所述隧穿氧化层3之间，所述金属电极7穿设所述氧化铝钝化层5设置，所述金属电极7的一端插入所述掺杂多晶硅层4内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中环新能(安徽)先进电池制造有限公司 一种电池背面复合膜层和TOPCon电池

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