申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888092A

主分类号：C23C16/52

分类号：C23C16/52;C23C16/40;C23C16/455;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种降低硅片APCVD正背面污迹的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：APCVD成膜控制3个喷嘴气体流量。1#喷嘴、2#喷嘴和3#喷嘴的气体流量为N2H1流量10slm，N2H2流量10slm，N2（O2）流量17slm，N2（SiO4）流量17slm，O2流量640sccm，SiH4流量80sccm。第二步：APCVD成膜控制对应预热区的温度。温区对应预热区右侧的温度为720度，预热区中部的温度为715度，预热区左侧的温度为720度，主加热区右侧的温度为685度，主加热区中部三个位置的温度分别为675度、595度和500度，主加热区左侧的温度为685度。对薄片改善沉积条件，优化沉积时的腔内压力，使硅片杜绝出现正背面污迹。减少偏薄硅片的正背面污迹情况。减少硅烷和氧气的用料，使SiO2完全沉积在背封面。

主权项：1.一种降低硅片APCVD正背面污迹的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：APCVD成膜控制3个喷嘴气体流量；1#喷嘴：N2H1流量10slm，N2H2流量10slm，N2（O2）流量17slm，N2（SiO4）流量17slm，O2流量640sccm，SiH4流量80sccm；2#喷嘴：N2H1流量10slm，N2H2流量10slm，N2（O2）流量17slm，N2（SiO4）流量17slm，O2流量640sccm，SiH4流量80sccm；3#喷嘴：N2H1流量10slm，N2H2流量10slm，N2（O2）流量17slm，N2（SiO4）流量17slm，O2流量640sccm，SiH4流量80sccm；第二步：APCVD成膜控制对应预热区的温度；温区对应预热区右侧的温度为720度，预热区中部的温度为715度，预热区左侧的温度为720度，主加热区右侧的温度为685度，主加热区中部三个位置的温度分别为675度、595度和500度，主加热区左侧的温度为685度。

全文数据：

权利要求：

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