申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2023-10-16

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894840A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L21/336;H01L23/544;H01L27/088

优先权：["20221014 DE 102022210851.5"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种垂直的半导体构件、尤其是晶体管100，该半导体构件具有基于氮化镓GaN的漂移层104和或有源层105以及至少两个、优选三个电极106，107。根据本发明，至少一个测量电极113构造在与至少一个其他的电极106，107相比更低的垂直水平上，并且构造为可从垂直上方接触。

主权项：1.一种垂直的半导体构件、尤其是晶体管100，所述半导体构件具有基于氮化镓GaN的漂移层104和或基于氮化镓GaN的有源层105以及至少两个、优选三个电极106，107，其特征在于，至少一个测量电极113构造在与至少一个其他的电极106，107相比更低的垂直水平上，并且构造为可从垂直上方接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 罗伯特·博世有限公司 具有正侧的测量电极的基于氮化镓的垂直的半导体构件

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