申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888187A

主分类号：C30B25/02

分类号：C30B25/02;C30B29/16;C23C16/44;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法。在高温条件下，该方法采用腐蚀性气体对氧化镓多晶进行腐蚀，氧化镓多晶被分解成金属镓、氯化镓和水，并随着尾气一同排出HVPE腔室，达到去除石英件及基座上附着氧化镓多晶的目的。该方法简单、有效，不仅能够保证腔室的洁净度，避免氧化镓多晶掉落在样品表面，也有利于提升内衬石英管和基座的重复利用次数，降低了实验成本。该方法也可以用来去除LPCVD、Mist‑CVD、MOCVD等氧化镓外延设备中基座或者石英件上附着的氧化镓多晶。

主权项：1.一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法，其特征在于，所述方法有如下步骤：步骤一、将待腐蚀的石英件及基座放入五温区的HVPE设备腔室内，石英件及基座处在第三至第五温区之间，关闭法兰后，腔室内抽真空，排尽腔室内的空气；步骤二、向腔室内通入一定量的氮气，氮气流量在2000-10000sccm之间，腔室压力控制在400-1000mbar之间；步骤三、HVPE设备腔室升温，第一至第五温区依次分别设置在700-850℃、800-950℃、900-980℃、1000-1100℃、900-960℃范围内；升温时间控制在4h-5h；步骤四、腔室各温区温度升至设定温度后，向腔室内通入腐蚀性气体，腐蚀性气体流量占腔室内总气体流量的20%-80%，腐蚀时间控制在1h-5h之间；在腐蚀性气体的作用下，氧化镓被分解，分解产物随着氮气排出腔室，去除氧化镓多晶；步骤五、腐蚀完毕后，关闭通入腔室内的腐蚀性气体，同时抽真空排尽腔室内的腐蚀性气体；腔室内温度降至常温后，即得到无氧化镓多晶附着的石英件及基座。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法

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