申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司

申请日：2021-08-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113809153B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.02.22#专利申请权的转移;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要：本发明公开了一种碳化硅基铝镓氮氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法，该器件包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致，所述微米线包括铝镓氮层和氮化镓层；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的铝镓氮层内部；电极，设置在所述多条微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向垂直，其中，所述凹槽结构的横截面为长方形，所述微米线的横截面的形状为梯形。该器件具有较高的电子迁移率、开关速度快，同时可以在高温下工作，导热性能良好，制造工艺简单等优异特性。

主权项：1.一种碳化硅基铝镓氮氮化镓微米线HEMT功率器件的制备方法，其特征在于，包括：S1、提供一碳化硅衬底；S2、在所述碳化硅衬底上沉积二氧化硅绝缘层；S3、无需对所述碳化硅衬底进行刻蚀处理，对所述二氧化硅绝缘层进行刻蚀，形成用于生长微米线的若干凹槽结构，所述凹槽结构的横截面为长方形，通过金属有机化学气相沉积法在所述凹槽结构中外延生长一层氮化铝缓冲层；S4、在所述凹槽结构内依次外延生长铝镓氮、氮化镓形成微米线，其中，所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致，所述微米线的横截面的形状为梯形；S5、在所述微米线表面蒸镀源电极、漏电极、栅电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江芯科半导体有限公司 碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法

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