申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878151A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/205

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种高线性双渐变沟道的GaNHEMT器件及其制备方法，该器件包括自下而上层叠设置的衬底、GaN缓冲层、第一GaN沟道层、第一渐变AlGaN势垒层、第二GaN沟道层和第二渐变AlGaN势垒层；GaNHEMT器件还包括制备在第二渐变AlGaN势垒层上的源极、漏极和栅极；第一渐变AlGaN势垒层和第二渐变AlGaN势垒层的厚度均为10nm，第一渐变AlGaN势垒层中Al组分的质量百分比浓度从上至下由15％递减至0，第二渐变AlGaN势垒层中Al组分的质量百分比浓度从上至下由30％递减至0。本发明提供的GaNHEMT器件既具有宽的栅压摆幅，又具有平坦的跨导曲线，实现了高线性度。

主权项：1.一种高线性双渐变沟道的GaNHEMT器件，其特征在于，所述GaNHEMT器件包括自下而上层叠设置的衬底、GaN缓冲层、第一GaN沟道层、第一渐变AlGaN势垒层、第二GaN沟道层和第二渐变AlGaN势垒层；所述GaNHEMT器件还包括制备在所述第二渐变AlGaN势垒层上的源极、漏极和栅极；其中，所述第一渐变AlGaN势垒层和所述第二渐变AlGaN势垒层的厚度均为10nm，所述第一渐变AlGaN势垒层中Al组分的质量百分比浓度从上至下由15％递减至0，所述第二渐变AlGaN势垒层中Al组分的质量百分比浓度从上至下由30％递减至0。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 高线性双渐变沟道的GaN HEMT器件及其制备方法

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