申请/专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司

申请日：2021-12-21

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114388675B

主分类号：H01L33/46

分类号：H01L33/46;H01L33/14;H01L33/40;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.05.10#实质审查的生效;2022.04.22#公开

摘要：本发明公开了一种GaN基微型LED芯片及其制备方法，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层。所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下。在所述介质层上设有若干小孔，P型电极层通过小孔与P型半导体层接触。通过调整介质层表面的小孔边缘到台面边缘的距离，结合芯片边缘区域设置的电隔离区域，本发明能够实现高光反射率，且可以调制电流扩展长度，限制电流部分远离表面缺陷，减弱载流子在侧壁面产生非辐射复合，最终可以提高微型LED芯片的电光转换效率。

主权项：1.一种GaN基微型LED芯片，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层；其特征在于：所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下，在所述介质层上设有小孔，P型电极层通过小孔与P型半导体层接触；将LED芯片的边缘至距边缘一定距离的P型半导体层设置为电隔离区域，这个距离记为D1，0μm≤D1≤4μm；所述小孔边缘到台面边缘的距离记为D2，0μm≤D2≤10μm。

全文数据：

权利要求：

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