申请/专利权人：成都氮矽科技有限公司;深圳氮芯科技有限公司

申请日：2024-02-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894834A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/40

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种常关型GaNHEMT器件及其制造方法，涉及半导体器件领域，包括：包括从下到上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、氮化镓沟道层和铝氮化镓势垒层；位于铝氮化镓势垒层的上方还设置有p‑GaN栅极区域层、钝化层、源极和漏极；位于p‑GaN栅极区域层和钝化层上方还设置有栅极以及第一场板介质层；位于第一场板介质层的上方还设置有第一源极场板层和第二场板介质层；位于第二场板介质层的上方还设置有第二源极场板层；其中，p‑GaN栅极区域层是通过再生长工艺形成的。本发明通过再生长工艺形成p‑GaN栅极区域层，可以避免传统p‑GaN层刻蚀工艺对铝氮化镓势垒层造成的表面损伤和过刻蚀问题。同时，引入栅极和两层源极场板层，可降低尖峰电场，提升器件耐压。

主权项：1.一种常关型GaNHEMT器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、氮化镓沟道层和铝氮化镓势垒层；位于所述铝氮化镓势垒层的上方还设置有p-GaN栅极区域层、钝化层、源极和漏极；位于所述p-GaN栅极区域层和钝化层上方还设置有栅极以及第一场板介质层；位于所述第一场板介质层的上方还设置有第一源极场板层和第二场板介质层；位于所述第二场板介质层的上方还设置有第二源极场板层；其中，所述p-GaN栅极区域层是通过再生长工艺形成的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都氮矽科技有限公司;深圳氮芯科技有限公司 一种常关型GaN HEMT器件及其制造方法

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