申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司

申请日：2023-11-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867455A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/06;H01L21/285;H01L21/335;H01L29/778

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种靶材及GaNHEMT器件的制作方法。靶材用于在磁控溅射工艺中形成GaNHEMT器件的栅极，所述靶材的第一表面包括位于所述靶材的中心的中央凸起以及环绕所述中央凸起的至少一个环形凸起。本发明实施例可以降低GaNHEMT器件的阈值电压的差异，提升制作成品率。

主权项：1.一种靶材，用于在磁控溅射工艺中形成GaNHEMT器件的栅极，其特征在于：所述靶材的第一表面包括位于所述靶材的中心的中央凸起以及环绕所述中央凸起的至少一个环形凸起。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 一种靶材及GaN HEMT器件的制作方法

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