申请/专利权人：深圳镓楠半导体科技有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878149A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供了一种具有欧姆金属阶梯场板的氮化镓HEMT器件，包括：异质结；形成在异质结上的源电极、漏电极和栅电极；具有欧姆金属阶梯场板的氮化镓HEMT器件包括阶梯场板；阶梯场板形成在栅电极的上方，阶梯场板包括至少两个处于不同高度的场板单元，每个场板单元包括第一连接金属部和形成在第一连接金属部上的第一欧姆金属部。本申请的有益效果在于：成本低：其制造过程仅需要九张光罩，相比于传统结构可以节省一张光罩，成并且Lgs相比传统结构更短，电阻更低，饱和电流能力更强，成本降低；场板电位灵活：第二层、第三层场板可以在栅极和源极电位之间自由切换，适用于更多的应用场景，如第二、第三层场板接源极，可以降低栅‑漏电容。

主权项：1.一种具有欧姆金属阶梯场板的氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：异质结；形成在所述异质结上的源电极、漏电极和栅电极；所述具有欧姆金属阶梯场板的氮化镓HEMT器件包括阶梯场板；所述阶梯场板形成在所述栅电极的上方，所述阶梯场板包括至少两个处于不同高度的场板单元，每个所述场板单元包括第一连接金属部和形成在所述第一连接金属部上的第一欧姆金属部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳镓楠半导体科技有限公司 具有欧姆金属阶梯场板的氮化镓HEMT器件及其制造方法

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