申请/专利权人：合肥仙湖半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855066A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L23/495;H01L23/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及GaNHEMT芯片封装技术领域，解决了现有封装工艺难以满足氮化镓芯片使用场景的轻薄化和多样化需求的技术问题，尤其涉及一种GaNHEMT芯片的封装方法，该方法包括以下步骤：S1、定制用于半刻蚀的铜框架，并在铜框架中的焊盘区域镀银；S2、采用划片机将氮化镓晶圆与ESD二极管减薄至小于N微米后划片，形成分离开的单颗晶粒Die。本发明针对GaNHEMT芯片的外形采用DFN封装形式，引脚布局则采用TOLL封装形式的混合式封装形式，从而满足了氮化镓芯片使用场景的轻薄化和多样化，降低封装带来的寄生参数，提供更大的电流能力。

主权项：1.一种GaNHEMT芯片的封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1、定制用于半刻蚀的铜框架，并在铜框架中的焊盘区域镀银；S2、采用划片机将氮化镓晶圆与ESD二极管减薄至小于N微米后划片，形成分离开的单颗晶粒Die；S3、将任意一颗氮化镓晶粒Die以及两颗二极管晶粒Die通过高导热的导电银胶焊接到铜框架上；S4、采用超声波焊接镀钯金铜线将晶粒Die和铜框架连接起来用于导电；S5、在铜框架的背面贴上防止在塑封过程中出现溢料的耐高温膜；S6、采用半刻蚀工艺在package内部框架的固定位置进行半蚀刻，固定位置即为二极管基岛位置，且与固定位置对应铜框架上的容纳区域的厚度设置为0.203mm-0.100mm；S7、采用散热性能较好的绝缘树脂塑封产品，并将塑封后的产品送入烘箱烘烤；S8、将铜框架背面的耐高温膜撕去后进行产品金属区域的镀锡；S9、在镀锡后，将铜框架上连接在一起的产品切割成单颗产品并进行电性能测试。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥仙湖半导体科技有限公司 一种GaN HEMT芯片的封装方法

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