申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878150A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L23/34;H01L21/335;H01L29/06;H01L27/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法，器件包括：衬底层；缓冲层位于衬底层的上表面；沟道层位于缓冲层的上表面；势垒层位于沟道层的上表面；隔离层由势垒层的上表面延伸至缓冲层的下表面，将势垒层的上表面分为二极管区和HEMT区；第一P‑GaN层位于二极管区；P+GaN层位于第一P‑GaN层的上表面。通过将GaN二极管温度传感器集成在HEMT内部，避免了分开制备再集成过程中的不稳定因素对系统性能的影响；减小了整体器件尺寸，提高了集成度；并且HEMT工作中产生的温度变化通过缓冲层、沟道层和势垒层传导到集成的GaN二极管上，提高了温度传感器的温度采集灵敏度，优化了温度传感器的性能。

主权项：1.一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT，其特征在于，包括：衬底层；缓冲层，位于所述衬底层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；势垒层，位于所述沟道层的上表面；隔离层，由所述势垒层的上表面延伸至所述缓冲层的下表面，将所述势垒层的上表面分为二极管区和HEMT区；第一P-GaN层，位于所述二极管区；P+GaN层，位于所述第一P-GaN层的上表面；肖特基接触阴极，位于所述第一P-GaN层的上表面，和所述P+GaN层之间存在间隔；欧姆接触阳极，位于所述P+GaN层的上表面；第二P-GaN层，位于所述HEMT区；源极，位于所述HEMT区，且位于所述第二P-GaN层的一侧，和所述第二P-GaN层之间存在间隔；漏极，位于所述HEMT区，且位于所述第二P-GaN层的另一侧，和所述第二P-GaN层之间存在间隔；栅极，位于所述第二P-GaN层的上表面；钝化层，覆盖所述势垒层的表面、所述第一P-GaN层的表面、所述隔离层的表面和所述P+GaN层的表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法

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