申请/专利权人：苏州科技大学

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894833A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/335;H01L29/417

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种AlGaNGaNHEMT器件结构，包括衬底、本征GaN层、GAN沟道层、AlGaN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、绝缘层、钝化层、ITO栅电极及硅化物，其中AlGaN掺杂层上间隔设置有源极、绝缘层和漏极，绝缘层和漏极之间设钝化层，AlGaN掺杂层和绝缘层上均设有ITO栅电极，ITO栅电极与源极间另设钝化层；在漏极、ITO栅电极处构成GAN沟道层。包括基板制备，初步光刻，绝缘设置，ITO栅电极加工，硅化物加工，钝化处理及成型加工。本发明一方面有效的提高了设备的抗击穿电压和频率调节特性，从而有效的提高了设备运行的稳定性和抗电路瞬时异常状态的能力；另一方面有效的简化了生产工艺，并降低了生产难度，另可有效的提高产品生产效率和产品质量稳定性。

主权项：1.一种AlGaNGaNHEMT器件结构，其特征在于：所述的AlGaNGaNHEMT器件结构从上向下依次包括衬底、本征GaN层、GAN沟道层、AlGaN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、绝缘层、钝化层、ITO栅电极及硅化物，其中AlGaN掺杂层上间隔设置有源极、绝缘层和漏极，绝缘层和漏极之间设钝化层，所述AlGaN掺杂层和绝缘层上均设有ITO栅电极，同时ITO栅电极与源极间另设钝化层；同时此外，所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，此外所述绝缘层另包覆在源极、漏极外，同时在GAN沟道层处进行硅化物沉积，同时在最外侧的绝缘层上另沉积硅化物，并通过沉积硅化物构成源场板结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州科技大学 一种AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

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