申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2021-09-27

公开（公告）日：2023-12-26

公开（公告）号：CN113862646B

主分类号：C23C16/52

分类号：C23C16/52;C23C16/54;C23C16/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.26#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2021.12.31#公开

摘要：本发明公开了一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法，涉及常压化学沉积技术领域，包括反应管、第一气罐、第二气罐以及第三气罐，滑块滑动同时为调节叶片提供摆动的动力，使通过的气流不断改变通过的路径，从而达到气流均匀分散的目的，因此，在气流与反应物反应后产生的过程产物颗粒能够均匀分散，调节组件使用时，流动的气流能够带动风扇转动，无需外置动力驱动即可为调节叶片提供摆动的动力，从而节省了能源的消耗，调节叶片能够通过第二转动轴转动一定角度，因此，相邻调节叶片之间能够形成一定大小的缝隙，通过调节缝隙的大小进而能够控制通过的反应气流量，从而适用于不同反应气体流量的APCVD系统。

主权项：1.一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统，包括反应管1、第一气罐2、第二气罐3以及第三气罐4，所述反应管1的一侧设置有第一气罐2、第二气罐3与第三气罐4，所述第一气罐2、第二气罐3与第三气罐4从下到上依次叠加放置，其特征在于：所述反应管1与第一气罐2、第二气罐3与第三气罐4均分别通过输气管5相连接，所述输气管5的一端贯穿反应管1并延伸至内部，且输气管5的一端固定连接有调控机构6，所述反应管1的另一侧通过管道连接有废气吸收罐8，所述废气吸收罐8的一侧壁上方固定设置有防护罩9，所述防护罩9的内部转动设置有排气扇10，所述反应管1的一侧外壁分别开设有两个滑槽，滑槽的内部分别滑动设置有置物组件11与支撑组件12，所述置物组件11与支撑组件12的一端均贯穿反应管1并延伸至内部，所述反应管1的内壁开设有腔体，腔体的内部设置有加热丝13；所述调控机构6包括喷气头601与气体分布组件602，所述喷气头601的左侧壁开设有螺纹孔，所述气体分布组件602的一端固定设置有第一法兰盘605，所述喷气头601与气体分布组件602通过第一法兰盘605与螺纹孔固定连接，所述喷气头601的内部设置有气量调控组件604，所述喷气头601的正面通过转轴转动连接有若干传动齿轮607，全部所述传动齿轮607的外壁共同啮合有传动链条608，所述传动链条608的最顶部内壁啮合有驱动齿轮，驱动齿轮的一侧壁固定连接有伺服电机609；所述气体分布组件602包括气体分布管6021，所述气体分布管6021为中空结构，且气体分布管6021的两端开设有通气口，所述气体分布管6021的内部设置有调节组件6022，且气体分布管6021的内壁固定设置有承载支架6023；所述调节组件6022包括导风板60221，所述导风板60221的前后两侧壁均固定连接有第一转动轴60222，所述导风板60221的左侧壁开设有第一滑槽60223，所述第一滑槽60223的内部滑动设置有滑块60224，所述滑块60224的一侧壁转动连接有连杆60225，所述连杆60225的一端固定焊接有连接块60226，所述连接块60226的左侧壁固定焊接有驱动轴60227，所述驱动轴60227的一端固定连接有风扇60228，且驱动轴60227的外壁转动套设有轴套60229；所述气量调控组件604包括第一固定板6041与第二固定板6042，所述第一固定板6041与第二固定板6042之间通过第二转动轴6044转动连接有若干调节叶片6043，所述第二转动轴6044的一端分别贯穿第一固定板6041与第二固定板6042。

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