申请/专利权人：浙江科技学院

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747032A

主分类号：G16C60/00

分类号：G16C60/00;G16C10/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种增强双层GO‑CSH界面剪切和层间荷载转移能力的设计方法，包括以下步骤：步骤一、建立C‑S‑H分子模型；步骤二、建立石墨烯分子模型，并通过BuildLayer得到双层石墨烯；步骤三、建立双层氧化石墨烯分子模型；步骤四、将sp3层间键连接于上层与下层氧化石墨烯；步骤五、形成双层GOC‑S‑H分子模型；步骤六、形成含sp3层间键的双层GOC‑S‑H分子模型；步骤七、利用反应力场分子动力学表征D‑GO‑CSH分子模型和Lsp3分子模型力场参数。本发明采用上述的一种增强双层GO‑CSH界面剪切和层间荷载转移能力的设计方法，通过分子动力学理论分别计算D‑GO‑CSH和Lsp3分子模型的归一化层间应力转移值、归一化层间拔出能、归一化层间剪切应力，主动调控D‑GO分子构型，从而改善D‑GO‑CSH界面剪切和层间荷载转移能力。

主权项：1.一种增强双层GO-CSH界面剪切和层间荷载转移能力的设计方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、以Tobermorite的晶体结构为初始模型基于分子动力学软件MaterialsStudio建立C-S-H分子模型；步骤二、通过MaterialsStudio软件建立石墨烯分子模型，并通过BuildLayer得到双层石墨烯；步骤三、在双层石墨烯分子模型表面及边缘添加羟基、环氧基等含氧官能团，建立双层氧化石墨烯分子模型；步骤四、将一系列sp3层间键连接于上层氧化石墨烯与下层氧化石墨烯，使上层氧化石墨烯与下层氧化石墨烯连接并成为一个整体，即含sp3层间键的双层氧化石墨烯分子模型；步骤五、将双层氧化石墨烯分子模型插入C-S-H层间的中心位置，形成双层GOC-S-H分子模型，即D-GO-CSH分子模型；步骤六、将含sp3层间键的双层氧化石墨烯分子模型插入C-S-H层间的中心位置，形成含sp3层间键的双层GOC-S-H分子模型，即Lsp3分子模型；步骤七、利用反应力场分子动力学表征D-GO-CSH分子模型和Lsp3分子模型中Si-O-H、Ca-O-H和C-O-H键的力场参数，并对氧化石墨烯分子层和sp3层间键的短程相互作用进行表征；步骤八、模拟模型的周期性边界，利用Verlet算法描述模拟模型原子轨迹的特征；步骤九、测试层间键对D-GO-CSH分子模型层间应力转移值、层间拔出能和层间剪切应力的增强效应；步骤十、计算D-GO-CSH分子模型与Lsp3分子模型的层间拔出能和层间剪切应力。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江科技学院 一种增强双层GO-CSH界面剪切和层间荷载转移能力的设计方法

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