申请/专利权人：合肥安赛思半导体有限公司

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117741388A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;H03K5/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明揭示了一种SiCMOSFET结温监测电路和方法，所述SiCMOSFET结温监测电路包括RC缓冲电路和信号调理电路；RC缓冲电路用于连接待测功率器件Q1的漏极和源极；RC缓冲电路用于捕获待测功率器件Q1开通时漏‑源电压的变化起始时刻，输出一电压信号，并将电压信号的幅值缩小至信号调理电路的安全阈值内；信号调理电路与RC缓冲电路的输出端相连；信号调理电路和待测功率器件Q1的栅极相连；信号调理电路用于对来自RC缓冲电路的电压信号进行运算处理，并与来自待测功率器件Q1的PWM信号进行逻辑比较，转换出表征待测功率器件Q1结温所需的温度敏感电参数。本发明能够提高温敏电参数的敏感度，且不需要在正常开关周期内添加额外的测试脉冲，实现器件结温的实时在线监测。

主权项：1.一种SiCMOSFET结温监测电路，其特征在于，包括RC缓冲电路和信号调理电路；所述RC缓冲电路用于连接待测功率器件Q1的漏极和源极；所述RC缓冲电路用于捕获所述待测功率器件Q1开通时漏-源电压的变化起始时刻，输出一电压信号，并将所述电压信号的幅值缩小至所述信号调理电路的安全阈值内；所述信号调理电路与所述RC缓冲电路的输出端相连；所述信号调理电路和所述待测功率器件Q1的栅极相连；所述信号调理电路用于对来自所述RC缓冲电路的电压信号进行运算处理，并与来自所述待测功率器件Q1的PWM信号进行逻辑比较，转换出表征所述待测功率器件Q1结温所需的温度敏感电参数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥安赛思半导体有限公司 一种SiC MOSFET结温监测电路和方法

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