申请/专利权人：沃孚半导体公司

申请日：2022-06-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751211A

主分类号：C30B23/02

分类号：C30B23/02;C30B33/02;C30B29/36

优先权：["20210617 US 17/350100"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：公开了碳化硅SiC晶体材料和相关方法，其提供具有降低的光学吸收的SiC晶体材料。在某些方面中，公开了对可见光谱内的光波长具有降低的吸收系数的SiC晶体材料。可以在SiC晶体材料中降低波长光谱上的各种吸收峰以改善整个可见光谱上的整体吸收系数均匀性。通过对SiC晶体材料提供吸收系数的这种改进，可以实现相应器件中减少的光反射和透射损失。公开了相关方法，其包括具有和不具有各种生长后热调节步骤的晶体生长的各种组合。

主权项：1.一种碳化硅SiC晶体材料，其在420纳米nm至700nm的波长范围上包含在由加或减0.075厘米倒数cm-1限定的吸收系数范围内的吸收系数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沃孚半导体公司 碳化硅晶体材料的降低的光学吸收

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