申请/专利权人:昆山工研院半导体显示研究院有限公司
申请日:2023-12-20
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN117750847A
主分类号:H10K71/00
分类号:H10K71/00;H10K50/813;H10K50/816;H10K50/10
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开
摘要:本发明提供一种图案化阳极及其制备工艺和应用。所述制备工艺包括如下步骤:对氧化硅层一侧的金属层依次进行第一次刻蚀和第二次刻蚀,形成图案化金属层,得到所述图案化阳极。本发明中,通过对图案化阳极的制备工艺进行设计,进一步通过对金属层分步刻蚀的方法,避免了氧化硅层的损失,同时保证了后续可制备得到连续阴极,提高了OLED器件的良率。
主权项:1.一种图案化阳极的制备工艺,其特征在于,所述制备工艺包括如下步骤:对氧化硅层一侧的金属层依次进行第一次刻蚀和第二次刻蚀,形成图案化金属层,得到所述图案化阳极。
全文数据:
权利要求:
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