申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748296A

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343;H01S5/183;H01S5/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法，本申请设计的半导体激光器结构通过在Ga1‑x5Inx5P第二量子阱与Alx7Ga1‑x7y5In1‑y5P上波导层之间设置低折射率的Alx6Ga1‑x6y4In1‑y4P上垒层，采用张应变补偿，降低势垒的折射率，促进光场扩展，减小远场光束发散角；同时，Alx7Ga1‑x7y5In1‑y5P上波导层和Al1‑x1Gax1y1In1‑y1P下波导层采用窄波导结构，降低光场限制能力，拓展垂直方向光场，降低远场发散角。

主权项：1.一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.51In0.49P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下波导层、Alx2Ga1-x2y2In1-y2P下垒层、Ga1-x3Inx3P第一量子阱、Alx4Ga1-x4y3In1-y3P垒层、Ga1-x5Inx5P第二量子阱、Alx6Ga1-x6y4In1-y4P上垒层、Alx7Ga1-x7y5In1-y5P上波导层、第一Al0.5In0.5P上限制层、Ga0.55In0.45P腐蚀终止层、第二Al0.5In0.5P上限制层、Ga0.51In0.49P上过渡层和GaAs帽层；其中，0.5≤x2≤0.7，0.5≤y2≤0.65；0.3≤x3≤0.5；0.5≤x4≤0.7，0.5≤y3≤0.65；0.3≤x5≤0.5；0.5≤x6≤0.7，0.5≤y4≤0.65；Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下波导层中x1组分渐变，x1的组分渐变范围在1至0.4之间，y1组分不变，0.4≤y1≤0.6；Alx7Ga1-x7y5In1-y5P上波导层中x7组分渐变，x7的组分渐变范围在0.4至1之间，y5组分不变，0.4≤y5≤0.6；x2大于x1组分渐变的结束取值，x6大于x7组分渐变的初始取值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法

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