申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
申请日:2024-01-10
公开(公告)日:2024-04-05
公开(公告)号:CN117832341A
主分类号:H01L33/00
分类号:H01L33/00;H01L33/30
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开
摘要:本发明公开了一种波段在940nm的正装红外LED的制备方法,包括以下步骤:S1、提供衬底,在所述衬底上生长N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和欧姆接触层,得到第一外延片;S2、对所述第一外延片进行清洗,然后进行黄光工艺,在所述欧姆接触层的表面上留出待粗化区域;S3、对所述待粗化区域进行粗化,在粗化后的所述欧姆接触层的表面蒸镀ITO薄膜,得到第二外延片;S4、完成所述第二外延片的正面电极和背面电极的制备,得到第三外延片;S5、按照预设图案对所述第三外延片的背面进行粗化,得到第四外延片;S6、对所述第四外延片进行切割,得到单颗芯粒,对所述单颗芯粒的侧壁进行粗化,得到成品。本发明能够明显提升红外LED的亮度。
主权项:1.一种波段在940nm的正装红外LED的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、提供衬底,在所述衬底上生长N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和欧姆接触层,得到第一外延片;S2、对所述第一外延片进行清洗,然后进行黄光工艺,在所述欧姆接触层的表面上留出待粗化区域;S3、对所述待粗化区域进行粗化,在粗化后的所述欧姆接触层的表面蒸镀ITO薄膜,得到第二外延片;S4、完成所述第二外延片的正面电极和背面电极的制备,得到第三外延片;S5、按照预设图案对所述第三外延片的背面进行粗化,得到第四外延片;S6、对所述第四外延片进行切割,得到单颗芯粒,对所述单颗芯粒的侧壁进行粗化,得到成品。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江西兆驰半导体有限公司 一种波段在940nm的正装红外LED及其制备方法
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