申请/专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747504A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开的粘合胶层厚度调整方法，包括将待粘合两片晶圆中的另一片用作腐蚀控制片进行刻蚀开孔，计算刻蚀掉的体积Vetch；将腐蚀控制片进行预填充，计算预填充的体积Vdill；基于Vetch和Vdill计算两片待粘合晶圆在粘合后的实际胶膜厚度减少值△t；将待粘合两片晶圆中的一片进行旋涂匀胶工艺至胶膜厚度为t；将待粘合的两片晶圆在真空环境下进行接触并施加压力，使涂胶晶圆上的胶水填充进入腐蚀控制片，得到厚度为t‑△t的粘合胶层。本发明的粘合胶层厚度调整方法，通过吸附消耗胶量控制胶厚，具有在不改变胶水自身性质的条件下突破匀胶工艺的限制，使非低粘度粘合胶水可以做到纳米级别的厚度。

主权项：1.粘合胶层厚度调整方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、预留待粘合两片晶圆中的一片，用作在粘合前进行旋涂匀胶工艺并设定胶膜厚度为t；步骤2、将待粘合两片晶圆中的另一片用作腐蚀控制片进行刻蚀开孔，计算刻蚀掉的体积Vetch；步骤3、将步骤2所得腐蚀控制片进行预填充，计算预填充的体积Vfill；步骤4、基于步骤2所得Vetch和步骤3所得Vfill计算两片待粘合晶圆在粘合后的实际胶膜厚度减少值△t，若达到目标值则进入步骤5，反之返回至步骤2；步骤5、对步骤1中预留的晶圆进行旋涂匀胶至胶膜厚度为t；步骤6、将待粘合的两片晶圆在真空环境下进行接触并施加压力，使涂胶晶圆上的胶水填充进入腐蚀控制片，得到厚度为t-△t的粘合胶层。

全文数据：

权利要求：

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