申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117746953A

主分类号：G11C16/34

分类号：G11C16/34;G11C16/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种监控分栅存储器串扰性能的方法，包括：提供监控结构，包括：多个金属焊垫，一个金属焊垫连接一个位线或一个字线或一个第一控制线或一个第二控制线；通过其中五个金属焊垫向同一个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压，以实现对存储器单元的读操作和写操作；测试与加压存储器单元位于相同字线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行读操作后的串扰性能，以及，测试与加压存储器单元位于相同位线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行写操作后的串扰性能。

主权项：1.一种监控分栅存储器串扰性能的方法，用于监控存储阵列中存储器单元的串扰性能，其特征在于，包括：提供监控分栅存储器串扰性能的结构，所述监控分栅存储器串扰性能的结构包括：多个金属焊垫，用于连接存储阵列中的多个位线、多个字线、多个第一控制线和多个第二控制线，其中，一个金属焊垫连接一个位线或一个字线或一个第一控制线或一个第二控制线；通过其中五个所述金属焊垫向同一个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压，以实现对存储器单元的读操作和写操作；测试与加压存储器单元位于相同字线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行读操作后的串扰性能，以及，测试与加压存储器单元位于相同位线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行写操作后的串扰性能；其中，同时通过多个金属焊垫分别向多个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加不同的工作电压，同时判断与多个加压存储器单元分别位于相同字线上的非加压存储器单元在加压存储器单元进行读操作后的串扰性能，以及，同时判断与多个加压存储器单元分别位于相同位线上的非加压存储器单元在加压存储器单元进行写操作后的串扰性能。

全文数据：

权利要求：

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