申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750874A

主分类号：H10N70/00

分类号：H10N70/00;H10N70/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种导电桥型阈值转换器件及其制备方法。所述导电桥型阈值转换器件包括：半导体衬底及从下至上依次设置在所述半导体衬底上的底电极、二维ZrSe2层、阻挡层以及顶电极；所述二维ZrSe2层的上表面有本征氧化层；所述阻挡层中设置有供顶电极在施加电压条件下与本征氧化层接触的缝隙，所述阻挡层用于在降低本征氧化层与顶电极的接触电阻的同时，抑制顶电极向本征氧化层的扩散过程。本发明的功能介质层选择为ZrSe2二维材料，导电丝的生长与断裂发生在二维材料经过本征氧化的表面区域，该区域很薄，能够将器件的开态电流限制在很低的范围内，有望用于神经形态器件的构建。

主权项：1.一种导电桥型阈值转换器件，其特征在于，包括：半导体衬底及从下至上依次设置在所述半导体衬底上的底电极、二维ZrSe2层、阻挡层以及顶电极；所述二维ZrSe2层的上表面有本征氧化层；所述阻挡层中设置有供顶电极在施加电压条件下与本征氧化层接触的缝隙，所述阻挡层用于在降低本征氧化层与顶电极的接触电阻的同时，抑制顶电极向本征氧化层的扩散过程。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种导电桥型阈值转换器件及其制备方法

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