申请/专利权人：上海交通大学;中山大学

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747716A

主分类号：H01L31/20

分类号：H01L31/20;H01L31/0747

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种超薄晶硅异质结全背太阳电池的制备方法，通过腐蚀法在硅片的一侧制备出中心孔后，采用全湿法刻蚀至所需厚度后在得到的超薄硅的中心孔一侧表面制绒，然后分别在超薄硅的制绒侧依次生长钝化层和减反层、在相对侧依次生长钝化层、载流子传输层和金属电极层，得到超薄晶硅异质结全背太阳电池。本发明用全湿法对硅片进行减薄得到局域超薄硅片，硅片减薄区域厚度可最低降低至～10μm，进而将这种局域超薄硅片用于制备超薄硅异质结全背太阳电池时，因周边厚硅的存在，在夹持、转运薄硅片和金属掩膜对版时起到良好的骨架作用，可极大降低超薄晶硅全背太阳电池制备过程中的碎片率。

主权项：1.一种超薄晶硅异质结全背太阳电池的制备方法，其特征在于，通过腐蚀法在硅片的一侧制备出中心孔后，采用全湿法刻蚀至所需厚度后在得到的超薄硅的中心孔一侧表面制绒，然后分别在超薄硅的制绒侧依次生长钝化层和减反层、在相对侧依次生长钝化层、载流子传输层和金属电极层，得到超薄晶硅异质结全背太阳电池。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学;中山大学 超薄晶硅异质结全背太阳电池的制备方法

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