申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2023-09-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747457A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/02

优先权：["20220920 JP 2022-149086"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明提供被加工物的检查方法和检查装置，能够不降低生产率且不受锯痕的影响而对形成于锭的内部的剥离层进行判定。被加工物的检查方法包含如下的步骤：剥离层形成步骤，在被加工物的内部形成由与上表面平行的改质层和从改质层伸展的裂纹构成的剥离层；照射步骤，在实施了剥离层形成步骤之后，将透过被加工物并且在剥离层的裂纹上反射的波长的光照射至形成有剥离层的被加工物的整个上表面；受光步骤，接受通过照射步骤而照射且被裂纹反射的反射光；以及判定步骤，根据通过受光步骤而接受的反射光的强度来判定剥离层的状态。

主权项：1.一种被加工物的检查方法，该被加工物是由按照晶面{100}所包含的特定的晶面在上表面和下表面上分别露出的方式制造的单晶硅构成的，其中，该被加工物的检查方法具有如下的步骤：剥离层形成步骤，将对于该被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于距离该被加工物的上表面相当于要制造的晶片的厚度的深度，并且一边使该聚光点和该被加工物在加工进给方向上相对地移动一边照射激光束，在该被加工物的内部形成与该上表面平行的改质层和从该改质层伸展的裂纹；照射步骤，在实施了该剥离层形成步骤之后，将透过该被加工物并且在该剥离层的裂纹上反射的波长的光照射至形成有该剥离层的被加工物的整个上表面；受光步骤，接受通过该照射步骤而照射且被该裂纹反射的反射光；以及判定步骤，根据通过该受光步骤而接受的反射光的强度来判定该剥离层的状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 被加工物的检查方法和检查装置

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