申请/专利权人：恒劲科技股份有限公司

申请日：2023-08-16

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747553A

主分类号：H01L23/29

分类号：H01L23/29;H01L23/373;H01L23/498

优先权：["20220920 TW 111135594"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种内埋元件的封装结构，包括于半导体芯片的晶背形成多层金属层以作为缓冲部，再将该半导体芯片以该缓冲部通过胶材接置于该承载部上，之后以绝缘层包覆该半导体芯片，且于该绝缘层上形成一电性连接该半导体芯片的增层线路结构，故在该半导体芯片的热膨胀系数小于胶材的热膨胀系数的情况下，该缓冲部能防止该半导体芯片与该承载部上的胶材分离。

主权项：1.一种内埋元件的封装结构，包括：一载板结构，其包含一承载部、一设于该承载部上的绝缘层、多个嵌埋于该绝缘层内的导通结构及一设于该绝缘层上的增层线路结构，其中，该承载部包括至少一图案化线路层以及与其相结合的绝缘材，且该图案化线路层通过该导通结构与该增层线路结构电性连接；以及至少一半导体芯片，其内埋于该绝缘层内并电性连接于该增层线路结构，且该半导体芯片的晶背金属化为多个金属层，以令该半导体芯片以该多个金属层的侧通过一胶材粘设于该承载部上，其中，该多个金属层的组成包括由内而外依序堆叠结合的一第一钛层、一镍层、一第二钛层及一银层。

全文数据：

权利要求：

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