申请/专利权人：厦门三安光电有限公司

申请日：2020-03-30

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112272872B

主分类号：H01L33/46

分类号：H01L33/46;H01L33/48;H01L33/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.02.12#实质审查的生效;2021.01.26#公开

摘要：一种半导体发光元件，其包括：导体发光序列，包括发光层；布拉格反射层，位于半导体发光序列的一侧，所述布拉格反射层为第一折射率的第一介质材料层和第二折射率的第二介质材料层重复堆叠分布形成，其中第一折射率低于第二折射率，其中所述第二介质材料层的光学厚度小于第一介质材料层的光学厚度。

主权项：1.一种半导体发光元件，其包括：半导体发光序列，包括发光层；布拉格反射层，位于半导体发光序列的一侧，所述布拉格反射层为第一折射率的第一介质材料层和第二折射率的第二介质材料层重复堆叠分布形成，其中第一折射率低于第二折射率，其中所述第二介质材料层的光学厚度小于第一介质材料层的光学厚度，至少两层第一介质材料层的光学厚度为大于λ4，且所有的第一介质材料的光学厚度小于等于3λ，至少两层第二介质材料层的光学厚度小于λ4，且所有的第二介质材料层的光学厚度大于等于0.04λ，所述λ值为550nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门三安光电有限公司 一种半导体发光元件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD