申请/专利权人：北京大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747619A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L21/8238

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的互补型场效应晶体管器件由同种二维材料的两层沟道垂直堆叠而成，两层沟道的栅极分别位于器件的底端和顶端，且由通孔实现互连；上下两层沟道分别使用不同的绝缘栅介质，分别对沟道实现p型和n型掺杂，使具有双极性的二维材料晶体管分别展示出p型或者n型输运行为，从而在紧凑的版图面积占用下，实现CMOS电路反相器单元。

主权项：1.一种二维垂直堆叠互补型场效应晶体管，由下到上依次设置有衬底、背栅电极、背栅介质层、底层二维沟道、底层沟道上介质层、顶层沟道底介质层、顶层二维沟道、顶栅介质层、顶栅电极，其中，所述底层二维沟道两侧连接第一源漏接触电极，所述顶层二维沟道两侧连接第二源漏接触电极；其特征在于，所述底层二维沟道和顶层二维沟道中一个实现p型运输行为，另一实现n型输运行为，其p、n型运输行为通过沟道上下层介质的表面电荷转移掺杂以及源漏接触电极的功函数高低进行调控；所述背栅电极和顶栅电极互连；第一源漏接触电极和第二源漏接触电极中的源极互连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管

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