申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2022-03-16

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751408A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00

优先权：["20210811 JP 2021-131398"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：根据本公开的一方面的存储器模块包括多个存储器单元格阵列单元。每个存储器单元格阵列单元包括存储器单元格阵列，该存储器单元格阵列包括存储器单元格。存储器单元格一对一地设置在多条第一布线和多条第二布线的每个交叉点处。每个存储器单元格阵列单元还包括控制单元，其控制从存储器单元格阵列读取数据和向存储器单元格阵列写入数据。存储器单元格包括可变电阻器和选择器元件。可变电阻器是其中通过电阻值的高或低状态来记录一位信息的电阻器。选择器元件串联耦合到可变电阻器。控制单元对存储器单元格执行检测操作以检测存储器单元格的状态，并且此后，当选择器元件通过检测操作被接通时，控制单元对接通的存储器单元格执行复位操作以使接通的存储器单元格从低电阻状态改变为高电阻状态。

主权项：1.一种存储器模块，包括：多个存储器单元格阵列单元；以及存储器控制器，控制从所述多个存储器单元格阵列单元读取数据以及向所述多个存储器单元格阵列单元写入数据，其中每个存储器单元格阵列单元包括多条第一布线，多条第二布线，存储器单元格阵列，包括存储器单元格，该存储器单元格一对一地设置在所述多条第一布线和所述多条第二布线的每个交叉点处，以及控制单元，基于存储器控制器的控制来控制从存储器单元格阵列读取数据和向存储器单元格阵列写入数据，存储器单元格包括可变电阻器和选择器元件，可变电阻器是通过电阻值的高或低状态来记录一位信息的电阻器，选择器元件串联耦合到可变电阻器，控制单元对存储器单元格执行检测操作以检测存储器单元格的状态，并且此后，当选择器元件通过检测操作被接通时，控制单元对接通的存储器单元格执行复位操作以使接通的存储器单元格从低电阻状态改变为高电阻状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 存储器模块

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD