申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2023-08-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750779A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01

优先权：["20220921 JP 2022-150194"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：实施方式提供包括了具有高性能的存储单元的磁存储装置及磁存储装置的制造方法。实施方式的磁存储装置具备下部电极、阻挡层、可变电阻层、上部电极以及第1层叠体。下部电极包含无定形碳或无定形氮化碳。阻挡层位于下部电极上，包含WN或WSiN。可变电阻层位于阻挡层上，包含可变电阻材料。上部电极位于可变电阻层上，包含无定形碳或无定形氮化碳。第1层叠体设置在上部电极上，包括第1铁磁性层、第2铁磁性层以及第1铁磁性层与第2铁磁性层之间的绝缘层。

主权项：1.一种磁存储装置，具备：下部电极，其包含无定形碳或无定形氮化碳；所述下部电极上的阻挡层，其包含氮化钨即WN或氮化硅钨即WSiN；所述阻挡层上的可变电阻层，其包含可变电阻材料；所述可变电阻层上的上部电极，其包含无定形碳或无定形氮化碳；以及第1层叠体，其设置在所述上部电极上，包括第1铁磁性层、第2铁磁性层以及所述第1铁磁性层与所述第2铁磁性层之间的绝缘层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 磁存储装置及磁存储装置的制造方法

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