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【发明公布】一种测试晶片键合对键合强度的方法及系统_深圳先进电子材料国际创新研究院_202311740779.6 

申请/专利权人:深圳先进电子材料国际创新研究院

申请日:2023-12-18

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117747461A

主分类号:H01L21/66

分类号:H01L21/66;H01L21/67;G01N19/04;G01N3/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明公开了一种测试晶片键合对键合强度的方法及系统,该系统包括测试晶片键合对离心分离转速的系统和数据处理软件。测试晶片键合对离心分离转速的系统包括固定基座、套筒、检测基座和离心装置;固定基座与晶片键合对中面积较小的晶片胶粘连接;套筒套设于固定基座和晶片键合对中面积较小的晶片的外表面;检测基座具有供套筒插入的中空腔体;晶片键合对在离心装置提供的离心作用下,晶片键合对中面积较小的晶片和固定基座沿套筒内壁与晶片键合对中面积较大的晶片发生位移,从而晶片键合对发生分离。本发明利用离心装置提供的离心力分离晶片键合对,并通过离心力换算得到键合强度。

主权项:1.一种测试晶片键合对离心分离转速的系统,其特征在于,包括固定基座、套筒、检测基座和离心装置;所述固定基座与所述晶片键合对中面积较小的晶片胶粘连接;所述套筒套设于所述固定基座和所述晶片键合对中面积较小的晶片的外表面;所述检测基座具有供套筒插入的中空腔体;所述晶片键合对在离心装置提供的离心作用下,晶片键合对中面积较小的晶片和固定基座沿套筒内壁与晶片键合对中面积较大的晶片发生位移,从而晶片键合对发生分离。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种测试晶片键合对键合强度的方法及系统

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