申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737662A

主分类号：C23C14/30

分类号：C23C14/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种镍金属源块结构，涉及电子束蒸发镀膜的技术领域，镍金属源块结构包括：一主体，主体包括倒梯形的纵向截面，主体包括对应倒梯形顶部的溅射蒸发面及对应倒梯形底部的加热面；一第一热传导结构，设置于溅射蒸发面与加热面之间，用于降低热量自加热面传导至溅射蒸发面的速度。本实施方式中，金属源块结构的溅射蒸发面与加热面之间设置有第一热传导结构，第一热传导结构用于降低热量自加热面传导至溅射蒸发面的速度，在镍金属源块结构下方的加热面受到的热量不变的情况下，传递到溅射蒸发面的热量所需要的时间更长，镍金属源块结构熔化放缓，熔化过程中的气体释放速率就降低了，因此，缓解了气爆问题。

主权项：1.一种镍金属源块结构，其特征在于，包括：一主体100，所述主体100包括倒梯形的纵向截面，所述主体100包括对应所述倒梯形顶部的溅射蒸发面及对应所述倒梯形底部的加热面；一第一热传导结构，设置于所述溅射蒸发面与所述加热面之间，用于降低热量自所述加热面传导至所述溅射蒸发面的速度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 镍金属源块结构

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