申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747409A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;B24B1/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种改善硅片PID的抛光方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。对硅片进行纯水冲洗。在硅片进行抛光前，先进行‑15～‑5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。对硅片表面进行除杂，同时便于后续硅片挑选。第一步：进行粗抛，硅片加工中经过两次粗抛。第二步：进行中抛，硅片加工中经过两次中抛。第三步：进行精抛，硅片加工中经过两次精抛。具有操作便捷和效果好的特点。解决了硅片PID在清洗过程中无法被去除的问题。降低PID产生，达到提高硅片质量的效果。

主权项：1.一种改善硅片PID的抛光方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：进行粗抛，硅片加工中经过两次粗抛；第一次粗抛阶段，大盘转速30～40rpm，抛头转速72～82rpm，抛光时间4～13min，碱性抛光液PH控制在10.7～11.7之间，流量控制在5～15Lmin；第二次粗抛阶段，大盘转速25～35rpm，抛头转速61～71rpm，抛光时间4～13min，碱性抛光液PH控制在10.7～11.7之间，流量控制在5～15Lmin；第二步：进行中抛，硅片加工中经过两次中抛；第一次中抛阶段，大盘转速25～35rpm，抛头转速61～71rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液PH控制在10.1～11.1之间，流量控制在5～15Lmin；第二次中抛阶段，大盘转速15～25rpm，抛头转速39～49rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液PH控制在10.1～11.1之间，流量控制在5～15Lmin；第三步：进行精抛，硅片加工中经过两次精抛；第一次精抛阶段，大盘转速10～20rpm，抛头转速10～20rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液PH控制在9.6～10.6之间，流量控制在1～3Lmin；第二次精抛阶段，大盘转速5～15rpm，抛头转速5～15rpm，抛光时间6～12min，碱性抛光液PH控制在9.6～10.6之间，流量控制在1～3Lmin。

全文数据：

权利要求：

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