申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117742076A

主分类号：G03F7/16

分类号：G03F7/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种提高匀胶平整性及均匀性的方法，包括如下步骤：提供任意衬底，将吸附性材料固定在衬底边缘，形成结合体；将结合体吸附在匀胶机上匀胶，即得到表面胶层厚度均匀的衬底。本发明解决了现有光刻技术中因胶层厚度不均匀导致的掩模版和衬底不能完全贴合的问题，相对现有技术，本发明能够显著改善掩模版和待光刻衬底的贴合，操作简单，成本低廉，适合所有尺寸的样品。

主权项：1.一种提高匀胶平整性及均匀性的方法，包括如下步骤：提供任意衬底，将吸附性材料固定在衬底边缘，形成结合体；将结合体吸附在匀胶机上匀胶，即得到表面胶层厚度均匀的衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种提高匀胶平整性及均匀性的方法

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