申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117744809A

主分类号：G06N7/02

分类号：G06N7/02;C30B15/20;G06F18/23;G06N3/006;G06F18/241;G06F18/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了直拉硅单晶生长过程加热器功率‑直径模型辨识方法，首先分别获得晶体生长过程中相同时刻下加热器功率和晶体直径数据，作为T‑S模糊辨识模型的输入和输出；然后使用改进的FCM算法处理采集得到的输入和输出数据；使用FCM算法计算数据对不同规则的隶属度，从而确定T‑S模糊模型的前件参数；使用递推最小二乘法优化结论参数，确定T‑S模糊模型的后件参数；最后将确定的前件参数和后件参数作为模型参数，得到最终的加热器功率‑晶体直径模型。本发明提高单晶品质和良率，可以更加精确的控制晶体的等径生长。

主权项：1.直拉硅单晶生长过程加热器功率-直径模型辨识方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、分别获得晶体生长过程中相同时刻下加热器功率和晶体直径数据，作为T-S模糊辨识模型的输入和输出；步骤2、使用改进的FCM算法处理步骤1采集得到的输入和输出数据；步骤3、使用FCM算法计算所述步骤2处理后的数据对不同规则的隶属度，从而确定T-S模糊模型的前件参数；使用递推最小二乘法优化结论参数，确定T-S模糊模型的后件参数；步骤4、将确定的前件参数和后件参数作为模型参数，得到最终的加热器功率-晶体直径模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 直拉硅单晶生长过程加热器功率-直径模型辨识方法

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