申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-09-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113838518B

主分类号：G11C29/56

分类号：G11C29/56;G11C29/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要：本发明提供了一种闪存的可靠性测试方法及计算机可读存储介质，所述闪存的可靠性测试方法包括：对闪存单元执行第一擦除测试，第一擦除测试合格的闪存单元为第一闪存单元；对第一闪存单元执行写入测试，写入测试合格的第一闪存单元为第二闪存单元，写入测试不良的第一闪存单元为第三闪存单元；对第二闪存单元及第三闪存单元执行第二擦除测试，第二擦除测试不良的第三闪存单元为可靠性不良单元。通过将第三闪存单元继续后续的测试，并利用后续的第二擦除测试从第三闪存单元中筛选出其中的第二擦除测试不良，并将其判定为可靠性不良单元，由此将可靠性不良单元有效区分于普通不良单元，从而达到从可靠性测试中有效筛出可靠性不良单元的目的。

主权项：1.一种闪存的可靠性测试方法，所述闪存包括若干闪存单元，其特征在于，所述闪存的可靠性测试方法包括：对所述闪存单元执行第一擦除测试，第一擦除测试合格的所述闪存单元为第一闪存单元；对所述第一闪存单元执行写入测试，写入测试合格的所述第一闪存单元为第二闪存单元，写入测试不良的所述第一闪存单元为第三闪存单元；对所述第二闪存单元及所述第三闪存单元执行第二擦除测试，其中，第二擦除测试不良的所述第三闪存单元为可靠性不良单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存的可靠性测试方法及计算机可读存储介质

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