申请/专利权人：西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117335113B

主分类号：H01P1/22

分类号：H01P1/22;H01P1/23

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明公开了一种外加磁场的宽带大功率负载，属于微波元器件领域，包括为器件提供封闭磁路的上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板，在由所述上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板围合而成的长方体内设置有波导腔体、永磁体、吸收体和吸收体载体，所述波导腔体采用标准矩形波导口设计，波导口的匹配直段长度为负载标准波导口的窄边长度的13～1.5倍；其斜劈直段长度为标准波导口长边的2～4倍；其匹配斜劈角度为5～15°；本发明可实现兆瓦级的高峰值功率设计；可实现小尺寸轻量化的波导负载设计；本发明可实现永磁磁化调节宽频带的吸收性能，将负载整个频段驻波设置在1.15以下。

主权项：1.一种外加磁场的宽带大功率负载，其特征在于：包括为器件提供封闭磁路的上下磁屏蔽板（1）和侧面磁屏蔽板（3），在由所述上下磁屏蔽板（1）和侧面磁屏蔽板（3）围合而成的长方体内设置有波导腔体（5）、永磁体（2）、吸收体（4）和吸收体载体（6），其中，所述永磁体（2）连接至波导腔体（5）外部，所述吸收体（4）连接于吸收体载体（6）并与波导腔体（5）连接，置于波导腔体（5）的中间；所述波导腔体（5）采用标准波导口设计，其标准波导口的匹配直段长度L1为标准波导口的窄边长度的13～1.5倍；其斜劈直段长度L2为标准波导口长边的2～4倍；其匹配斜劈角度S为5～15°；在所述波导腔体（5）外部设置有散热水路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) 一种外加磁场的宽带大功率负载

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