申请/专利权人：信阳师范学院

申请日：2022-06-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115070047B

主分类号：B22F9/04

分类号：B22F9/04;B22F3/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明提供了一种在BaFe2As2单晶基底上制备Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜的方法，以金属钡Ba、铯Cs、铁Fe以及砷As或者它们之间的化合物作为原料，研磨后封管在密闭的条件下烧结，即可在BaFe2As2单晶基底上生长出Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。本发明制备工艺简单、操作方便，可制备出含活泼金属元素Cs的Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。所得超导薄膜具有高的临界转变温度，高的上临界场，为高性能铁基“122”系高温超导薄膜材料的制备提供了新思路，在超导强电磁及微电子应用方面具有较好的前景。

主权项：1.一种在BaFe2As2单晶基底上制备Ba1-xCsxFe2As2超导薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、称取反应原料，反应原料包括Ba、Cs以及FeAs和AeAs，其中Ae为Cs或Ba；各反应原料之间的摩尔比为Ba：Cs：FeAs：AeAs=1-x：x：y：（10-y），其中0x1，2≤y≤10，各反应原料中超出制备Ba1-xCsxFe2As2所需原料的化学计量比的部分作为助熔剂，助熔剂是FeAs与CsAs的混合物、FeAs与BaAs的混合物或FeAs；步骤B、将配比后的反应原料球磨3～6h；步骤C、将球磨后的反应原料密封后烧结，即得在BaFe2As2单晶基底上的Ba1-xCsxFe2As2超导薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信阳师范学院 一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法

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