申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-03-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113362871B

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16;G11C11/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开

摘要：一种非易失性存储电路及其存储方法和读取方法，所述非易失性存储电路包括：自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面，所述第一磁性隧道结位于所述第一面上，所述第二磁性隧道结位于所述第二面上，所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端；第一位线；第二位线；第三位线；第四位线；开关组件，所述开关组件使所述第一端与所述第一位线耦接，使所述第二端与所述第二位线耦接，并且，所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第四位线耦接。从而，减少了存储器的成本并提高了存储器的性能。

主权项：1.一种非易失性存储电路，其特征在于，包括：自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面，所述第一磁性隧道结位于所述第一面上，所述第二磁性隧道结位于所述第二面上，所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端；第一位线；第二位线；第三位线；第四位线；开关组件，所述开关组件使所述第一端与所述第一位线耦接，使所述第二端与所述第二位线耦接，并且，所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第四位线耦接；通过所述开关组件使所述第一端与所述第一位线导通，使所述第二端与所述第二位线导通，并且，所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线断开，使所述第二磁性隧道结与所述第四位线断开；通过所述第一位线或所述第二位线向所述第一磁性隧道结写入第一存储信号，并且向所述第二磁性隧道结写入第二存储信号，所述第一存储信号的电平高于或低于所述第二存储信号的电平；通过所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线导通，使所述第二磁性隧道结与所述第四位线导通，并且通过所述开关组件使所述第一端与所述第一位线导通，或者使所述第二端与所述第二位线导通；通过所述第三位线读取所述第一磁性隧道结内的第一存储信号，并且，通过所述第四位线读取所述第二磁性隧道结内的第二存储信号，所述第一存储信号的电平高于或低于所述第二存储信号的电平。

全文数据：

权利要求：

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