申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司

申请日：2020-08-31

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113809073B

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L21/8234

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要：本公开涉及具有有源区域凹凸部的集成电路。一种IC结构包括第一和第二晶体管、隔离区域和第一栅极延伸部。第一晶体管包括第一栅极以及分别位于第一栅极的相对侧的第一源极漏极区域。第二晶体管包括第二栅极以及分别位于第二栅极的相对侧的第二源极漏极区域。隔离区域横向位于第一和第二晶体管之间。第一个第一源极漏极区域具有从隔离区域的第一边界突出的第一源极漏极延伸部，并且第一个第二源极漏极区域具有从隔离区域的第二边界突出的第二源极漏极延伸部。第一栅极延伸部从第一栅极延伸到与隔离区域交叠的位置。

主权项：1.一种集成电路IC结构，包括：第一晶体管，包括沿第一方向延伸的第一栅极以及分别位于所述第一栅极的相对侧的第一源极漏极区域；第二晶体管，包括沿所述第一方向延伸的第二栅极以及分别位于所述第二栅极的相对侧的第二源极漏极区域；隔离区域，横向位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，其中，第一个所述第一源极漏极区域具有第一源极漏极延伸部，该第一源极漏极延伸部沿垂直于所述第一方向并远离所述第一栅极的第二方向从所述隔离区域的第一边界突出，并且第一个所述第二源极漏极区域具有第二源极漏极延伸部，该第二源极漏极延伸部沿垂直于所述第一方向并远离所述第二栅极的第三方向从所述隔离区域的第二边界突出；以及第一栅极延伸部，沿所述第二方向从所述第一栅极延伸到与所述隔离区域交叠的位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司 具有有源区域凹凸部的集成电路

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