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【发明授权】一种双层AIN压电薄膜水听器芯片单元、芯片以及水听器_青岛国数信息科技有限公司;青岛国数微电子有限公司_202111140667.8 

申请/专利权人:青岛国数信息科技有限公司;青岛国数微电子有限公司

申请日:2021-09-28

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN114034377B

主分类号:G01H11/08

分类号:G01H11/08;H10N30/87;H10N30/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2023.08.01#专利申请权的转移;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开

摘要:本发明公开了一种双层AIN压电薄膜水听器芯片单元,其包括由下向上依次设置的SOI基片、第一AIN压电层、第一电极层、隔离层、第二AIN压电层以及第二电极层;第一电极层与第一AIN压电层的外缘轮廓的形状和大小均相同;第一电极层包括第一正电极和第一负电极;第一正电极设置于第一电极层的中心区域且呈圆形;第一负电极设置于第一电极层的外侧边缘区域且呈环形;第二电极层与第二AIN压电层的外缘轮廓的形状和大小均相同;第二电极层包括第二正电极和第二负电极;第二正电极设置于第二电极层的中心区域且呈圆形;第二负电极设置于第二电极层的外侧边缘区域且呈环形。本发明利于提高压电效率以及压电电荷的采集效率,从而提高水听器芯片的灵敏度。

主权项:1.一种双层AIN压电薄膜水听器芯片单元,其特征在于,包括由下向上依次设置的SOI基片、第一AIN压电层、第一电极层、隔离层、第二AIN压电层以及第二电极层;第一电极层与第一AIN压电层的外缘轮廓的形状和大小均相同;第一电极层包括第一正电极和第一负电极;其中,第一正电极设置于第一电极层的中心区域,且呈圆形;第一负电极设置于第一电极层的外侧边缘区域,且呈环形;第二电极层与第二AIN压电层的外缘轮廓的形状和大小均相同;第二电极层包括第二正电极和第二负电极;其中,第二正电极设置于第二电极层的中心区域,且呈圆形;第二负电极设置于第二电极层的外侧边缘区域,且呈环形。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 青岛国数信息科技有限公司;青岛国数微电子有限公司 一种双层AIN压电薄膜水听器芯片单元、芯片以及水听器

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