申请/专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116111444B

主分类号：H01S5/026

分类号：H01S5/026;H01S5/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.05.30#实质审查的生效;2023.05.12#公开

摘要：本申请实施例公开了一种激光器和激光器的制备方法，其中本激光器包括了衬底和共用一个衬底的光栅波导结构、无源波导结构和DFB激光器结构，在使用过程中，激光器加正向电压激射产生激光，激光的一部分从光栅波导结构中进入无源波导结构中，无源波导结构的FP腔两端都为高反射率，FP腔除了能提升腔长，还会给DFB结构一个负反馈稳定激光器的波长，进而压缩了线宽。光在无源波导结构几乎没有损耗。本申请实施例提供的激光器真正实现了激光器和FP反馈腔的高效耦合，并且其可给FP腔无法镀膜的一个端面提供高反射率，提升了FP腔的反馈作用。

主权项：1.一种激光器，其特征在于，包括：衬底；光栅波导结构，设置在所述衬底上；无源波导结构，设置在所述衬底上，位于所述光栅波导结构的一侧；DFB激光器结构，设置在所述衬底上，位于所述光栅波导结构的另一侧；所述光栅波导结构包括：至衬底向上依次设置的第一氧化硅包层、多晶硅光栅层、氮化硅光栅覆盖层和第二氧化硅包层；其中，所述多晶硅光栅层的折射率大于所述第一氧化硅包层和所述第二氧化硅包层，所述氮化硅光栅覆盖层的折射率大于所述第一氧化硅包层和所述第二氧化硅包层，且所述氮化硅光栅覆盖层的折射率小于所述多晶硅光栅层的折射率；所述多晶硅光栅层上形成有多个第一凸部，所述氮化硅光栅覆盖层上形成有多个第二凸部，所述第二凸部位于相邻的两个第一凸部之间；所述第一凸部与所述第二凸部的高度相同，宽度不同，第一凸部与第二凸部的宽度满足如下公式：d＝2m+1λ4n其中，d为第一凸部和第二凸部的宽度，n为每层材料折射率，m为正整数λ为激光器的激射波长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉敏芯半导体股份有限公司 激光器和激光器的制备方法

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