申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2019-07-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112234077B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：本发明公开一种磁性存储单元及其制作方法，其中该磁性存储单元包含一基底，具有一存储区；一选择晶体管，设于基底上的存储区内；一第一介电层，设于基底上，其中第一介电层覆盖存储区和选择晶体管；一接垫，设于第一介电层中，其中接垫位于第一水平面且电连接选择晶体管的漏极区；一第二介电层，覆盖第一介电层和接垫；一柱状存储器堆叠，设于第二介电层中，其中柱状存储器堆叠包含电耦合至接垫的底电极，以及电耦合至第二介电层上的位线的上电极；以及一源极线，设于第一介电层中，其中源极线位于第二水平面且电连接选择晶体管的源极区。

主权项：1.一种磁性存储单元，其特征在于，包含：基底，具有存储区；选择晶体管，设于所述基底上的所述存储区内；第一介电层，设于所述基底上，其中，所述第一介电层覆盖所述存储区和所述选择晶体管；接垫，设于所述第一介电层中，其中，所述接垫位于第一水平面且电连接至所述选择晶体管的漏极区；第二介电层，覆盖所述第一介电层和所述接垫；柱状存储器堆叠，设于所述第二介电层中，其中，所述柱状存储器堆叠包含电耦合至所述接垫的底电极，以及电耦合至设置于所述第二介电层上的位线的上电极；以及源极线，设于所述第一介电层中，其中，所述源极线位于第二水平面且电连接至所述选择晶体管的源极区，其中，所述第二水平面低于所述第一水平面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 磁性存储单元及其制作方法

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