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【发明授权】压电结构及其制造方法以及包括该压电结构的压电谐振器_苏州汉天下电子有限公司_202110666170.3 

申请/专利权人:苏州汉天下电子有限公司

申请日:2021-06-16

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN113328714B

主分类号:H03H3/02

分类号:H03H3/02;H03H9/13;H03H9/17

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2021.09.17#实质审查的生效;2021.08.31#公开

摘要:本公开涉及具有优化的机电耦合系数的压电结构及其制造方法以及包括该压电结构的压电谐振器。根据本公开的压电结构可以包括以第一掺杂浓度掺杂有第一掺杂元素的压电层,其中第一掺杂浓度沿压电层的厚度方向以至少两种变化率变化,其中压电层沿其厚度方向具有连续变化的机电耦合系数。根据本公开,可以在不显著增加额外的工艺成本的情况下获得具有沿压电层厚度方向连续变化和或周期变化的机电耦合系数的压电结构,最终提高包括该压电结构的压电谐振器的优值。

主权项:1.一种压电结构,包括:以第一掺杂浓度掺杂有第一掺杂元素的压电层,其中,所述第一掺杂浓度沿所述压电层的厚度方向以至少两种变化率变化,以及其中,所述压电层沿其厚度方向具有连续变化的机电耦合系数,所述压电层在其上表面和或下表面处具有最低的机电耦合系数;所述压电层中的机电耦合系数沿压电层厚度方向呈周期性变化;其中,所述第一掺杂浓度的至少两种变化率包括第一变化率和第二变化率,其中,所述第一变化率使得所述压电层的机电耦合系数从所述压电层的上表面朝向所述压电层的下表面增加,以及其中,所述第二变化率使得所述压电层的机电耦合系数从所述压电层的下表面朝向所述压电层的上表面增加;所述压电层还以第二掺杂浓度掺杂有第二掺杂元素,所述第二掺杂元素用于提高品质因数;所述第二掺杂浓度沿所述压电层的厚度方向以至少两种变化率变化。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州汉天下电子有限公司 压电结构及其制造方法以及包括该压电结构的压电谐振器

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