申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-02-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN110197800B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：["20180227 JP 2018-033397"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2019.09.03#公开

摘要：本发明能够有效地清洗附着在排气管的附着物。基片处理装置10包括：内管51，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的任一者；和液体供给部60，其从外部对内管51供给用于清洗的液体；排气切换装置70，其通过使内管51旋转，将废气的排出目的地设定切换为酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的任一者；和包含控制部18的控制装置4，控制部18构成为能够执行：控制排气切换装置70以使内管51旋转的操作；和控制液体供给部60以对旋转的内管51供给液体的操作。

主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：排气管，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者；排气管液体供给部，其从外部对所述排气管供给用于清洗的液体；排出目的地设定部，其通过使所述排气管旋转，将所述废气的排出目的地设定为所述第一配管或者所述第二配管的任一者；保持所述基片并使其旋转的旋转保持部；对基片的背面和周缘部供给冲洗液和药液的基片液体供给部；杯体，其具有接收从所述基片液体供给部供给的冲洗液和药液的功能；和控制部，所述控制部构成为能够在杯体清洗处理中执行：控制所述基片液体供给部，以使得对旋转的所述基片的背面供给冲洗液，该冲洗液因离心力从所述基片的外周缘附近被甩掉而到达所述杯体，由此清洗所述杯体的操作；控制所述排出目的地设定部以在所述基片旋转的期间使所述排气管旋转的操作；和控制所述排气管液体供给部以对旋转的所述排气管供给所述液体的操作。

全文数据：基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质技术领域本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质。背景技术专利文献1公开了一种通过对基片供给各种药液和冲洗液，来除去附着在基片的附着物例如，抗蚀剂膜、污染物、氧化膜等的液体处理装置。该装置包括：保持基片并使其旋转的旋转驱动部；对基片供给药液或者冲洗液的喷嘴；和杯体，其包围由旋转驱动部保持的基片的周围并且接收从喷嘴供给到基片后的液体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-128015号公报发明内容发明要解决的技术问题在上述的装置中，具有将由液体处理产生的废气排出到外部的排气管。排气管对例如与供给到基片的药液的性质酸性或者碱性相应的外部配管排出废气。排气管构成为例如通过旋转来切换所连通的外部配管废气的排出目的地。此处，有时在排气管的侧面外周面等，附着与废气的排出有关的附着物例如，通过酸性的药液和碱性的药液反应而产生的结晶。一直以来，难以有效地清洗这样的附着物，需要定期地进行用于清洗该附着物的处理，该附着物妨碍了高效的基片处理。因此，本发明说明一种能够有效地清洗附着在排气管的附着物的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质。用于解决技术问题的技术手段本发明的一个方面的基片处理装置包括：排气管，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者；液体供给部，其从外部对排气管供给用于清洗的液体；排出目的地设定部，其通过使排气管旋转，将废气的排出目的地设定为第一配管或者第二配管的任一者；和控制部，其构成为能够执行：控制排出目的地设定部以使排气管旋转的操作；和控制液体供给部以对旋转的排气管供给液体的操作。本发明的另一方面的基片处理方法包括：通过使排气管旋转，将废气的排出目的地设定为作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者的工序，其中上述排气管用于将因基片处理而产生的上述废气排出到外部配管；和对旋转的排气管排出液体，清洗排气管的工序。发明效果根据本发明的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读取的存储介质，能够有效地清洗附着在排气管的附着物。附图说明图1是概略地表示基片处理系统的平面图。图2是表示处理单元的图。图3是表示排气管的概略构成的图。图4是表示排气管的详细构成的图，a是立体图，b是沿着a的b-b线的截面立体图。图5是排气管的截面图。图6是表示内管的立体图。图7是表示控制部18的功能块的图。图8是用于说明杯体清洗处理工序的流程图。图9是用于说明晶片主处理工序的流程图。附图标记说明10…基片处理装置，21…旋转保持部，51…内管，51a…第一贯通区域，51b…第二贯通区域，51x…第一区域，51y…第二区域，60…液体供给部，70…排气切换装置，150…酸性药液用配管，160…碱性药液用配管，W…晶片。具体实施方式以下所说明的本发明的实施方式是用于说明本发明的例示，故而本发明不限于以下的内容。在以下的说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素使用相同附图标记，并省略重复的说明。[基片处理系统的构成]图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，使Z轴正方向为铅垂向上方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。送入送出站2包括载体载置部11和运送部12。在载体载置部11载置有以水平状态收纳多个基片本实施方式中为半导体晶片以下为晶片W的多个载体C。运送部12与载体载置部11相邻设置，在内部设有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置13能够在水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间运送晶片W。处理站3与运送部12相邻设置。处理站3包括运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置在运送部15的两侧。运送部15在内部设有基片运送装置17。基片运送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置17能够在水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间运送晶片W。处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片W进行规定的基片处理。另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。存储部19收纳对在基片处理系统1中执行的各种的处理进行控制的程序。控制部18读取并执行存储在存储部19的程序，来控制基片处理系统1的动作。此外，该程序可以存储在计算机可读取的存储介质，也可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘HD、软盘FD、光盘CD、磁光盘MO、存储卡等。在如上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片运送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片运送装置17从交接部14取出，被送入处理单元16。送入到处理单元16的晶片W在由处理单元16进行了处理后，由基片运送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，由基片运送装置13将载置于交接部14的已处理的晶片W送回载体载置部11的载体C。[基片处理装置的构成]接着，参照图2，说明基片处理系统1所包含的基片处理装置10的构成。基片处理装置10将在表面形成有膜F的晶片W基片作为处理对象，进行从晶片W的周缘部Wc周缘的附近部分除去膜F的处理。晶片W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。晶片W可以具有一部分被切掉的切口部。切口部例如可以为缺口U字形、V字形等的槽，也可以为以直线状延伸的直线部所谓的定向平面orientationflat。晶片W例如可以为半导体基片、玻璃基片、掩模基片、FPDFlatPanelDisplay基片这样的其他的各种基片。晶片W的直径例如可以为200mm～450mm的程度。作为膜F的具体例，例如能够举出TiN膜、Al膜、钨膜、SiN膜、SiO2膜、多晶硅膜、热氧化膜Th-Ox等。基片处理装置10包括处理单元16和对其进行控制的控制装置4。处理单元16包括旋转保持部21、液体供给部22～25、温度调节部26和杯体27。另外，处理单元16具有未图示的送风机，由该送风机在处理单元16内形成下降流。旋转保持部21保持晶片W并使其旋转。旋转保持部21包括保持部21a和旋转驱动部21b。保持部21a基于来自控制装置4的控制部18的动作信号来动作，例如通过真空吸附等将晶片W的中心部保持为大致水平的。旋转驱动部21b例如是以电动机等为动力源的致动器，与保持部21a连接。旋转驱动部21b基于来自控制部18的动作信号来动作，使保持部21a绕沿铅垂方向延伸的旋转轴Ax旋转。即，旋转保持部21在晶片W的姿势为大致水平的状态下，使晶片W绕与晶片W的表面Wa垂直的轴旋转轴Ax旋转。在本实施方式中，旋转轴Ax通过呈圆形的晶片W的中心，因此也是晶片W的中心轴。在本实施方式中，旋转保持部21使晶片W从上方观察时的顺时针或逆时针地以规定的转速旋转。晶片W的转速例如可以为10rpm～2000rpm的程度。液体供给部22构成为在规定的处理位置在图2中在比旋转保持部21靠左侧且在晶片W的周缘部Wc的上方处，对晶片W的表面Wa和周缘部Wc供给药液和冲洗液。液体供给部22包括药液源22a、冲洗液源22b、保持喷嘴N1、N2的喷嘴单元22c和驱动机构22d。药液源22a基于来自控制部18的动作信号来动作，将用于使膜F溶解的药液供给到喷嘴N1。因此，从喷嘴N1将药液排出到晶片W的表面Wa侧。药液源22a例如可以包括未图示的药液罐、从药液罐压送药液的泵、控制药液的流通的ONOFF的阀。作为药液，例如能够举出碱性的药液、酸性的药液等。作为碱性的药液，例如能够举出SC-1液氨水、过氧化氢和纯水的混合液、过氧化氢溶液等。作为酸性的药液，例如能够举出SC-2液盐酸、过氧化氢和纯水的混合液、HF液氟酸、DHF液稀氟酸、HNO3+HF液硝酸和氟酸的混合液等。冲洗液源22b基于来自控制部18的动作信号来动作，将用于洗去药液和膜F的溶解成分的冲洗液供给到喷嘴N2。因此，从喷嘴N2将冲洗液排出到晶片W的表面Wa侧。冲洗液源22b例如可以包括未图示的冲洗液罐、从冲洗液罐压送冲洗液的泵、控制冲洗液的流通的ONOFF的阀。作为冲洗液，例如能够举出纯水DIW：deionizedwater等。驱动机构22d基于来自控制部18的动作信号来动作，使喷嘴单元22c在水平方向晶片W的径向移动。液体供给部23构成为在规定的处理位置在图2中在比旋转保持部21靠右侧且在晶片W的周缘部Wc的上方处，对晶片W的表面Wa和周缘部Wc供给药液和冲洗液。液体供给部23包括药液源23a、冲洗液源23b、保持喷嘴N3、N4的喷嘴单元23c和驱动机构23d。药液源23a、冲洗液源23b、喷嘴单元23c和驱动机构23d的构成与药液源22a、冲洗液源22b、喷嘴单元22c和驱动机构22d的构成是相同的，因此省略它们的说明。但是，在本实施方式中，从喷嘴N3将药液排出到晶片W的表面Wa侧，从喷嘴N4将冲洗液排出到晶片W的表面Wa侧。此外，药液源23a和药液源22a的至少一者供给碱性的药液。另外，药液源23a和药液源22a的至少一者供给酸性的药液。液体供给部24构成为在规定的处理位置在图2中在比旋转保持部21靠左侧且在晶片W的周缘部Wc的下方处，对晶片W的背面Wb和周缘部Wc供给药液和冲洗液。液体供给部24包括药液源24a、冲洗液源24b和喷嘴N5、N6。药液源24a基于来自控制部18的动作信号来动作，将用于使膜F溶解的药液供给到喷嘴N5。因此，从喷嘴N5将药液排出到晶片W的背面Wb侧。药液源24a例如可以包括未图示的药液罐、从药液罐压送药液的泵、控制药液的流通的ONOFF的阀。冲洗液源24b基于来自控制部18的动作信号来动作，将用于洗去药液和膜F的溶解成分的冲洗液供给到喷嘴N6。因此，从喷嘴N6将冲洗液排出到晶片W的背面Wb侧。冲洗液源24b例如可以包括未图示的冲洗液罐、从冲洗液罐压送冲洗液的泵、控制冲洗液的流通的ONOFF的阀。液体供给部25构成为在规定的处理位置在图2中在比旋转保持部21靠右侧且在晶片W的周缘部Wc的下方处，对晶片W的背面Wb和周缘部Wc供给药液和冲洗液。液体供给部25包括药液源25a、冲洗液源25b和喷嘴N7、N8。药液源25a、冲洗液源25b和喷嘴N7、N8的构成与药液源24a、冲洗液源24b和喷嘴N5、N6的构成是相同的，因此省略它们的说明。但是，在本实施方式中，从喷嘴N7将药液排出到晶片W的背面Wb侧，从喷嘴N8将冲洗液排出到晶片W的背面Wb侧。温度调节部26基于来自控制部18的动作信号来动作，来加热晶片W。温度调节部26包括主体26a和气体源26b。在主体26a埋设有电阻加热器等加热源。主体26a呈环状，包围旋转保持部21。因此，在旋转保持部21保持着晶片W的状态下，主体26a位于晶片W的背面Wb侧。气体源26b将氮气等的不活泼气体供给到主体26a。从气体源26b供给到主体26a内的不活泼气体被主体26a内的加热源加热后，从主体26a的排出口被吹到晶片W的背面Wb。由此，将晶片W维持为规定温度例如，50℃～80℃的程度。因此，能够促进由供给到晶片W的药液来进行膜F的除去处理。杯体27具有接收从液体供给部22～25喷嘴N1～N8供给的药液和冲洗液的功能。杯体27由底壁27a、内周壁27b、外周壁27c、隔挡壁27d和斜壁27e构成。底壁27a呈包围旋转保持部21的圆环状。底壁27a位于温度调节部26的下方。内周壁27b呈包围温度调节部26的带台阶的圆筒状。内周壁27b从底壁27a的上表面向上方延伸。外周壁27c呈包围保持于旋转保持部21的晶片W和内周壁27b的圆筒状。外周壁27c从底壁27a的外周缘向上方延伸。外周壁27c的上端侧的内壁面随着向上方去而向内侧旋转保持部21侧倾斜。隔挡壁27d呈圆筒状，从底壁27a的上表面向上方延伸。隔挡壁27d的高度比内周壁27b的高度低。隔挡壁27d位于内周壁27b和外周壁27c之间且比保持于旋转保持部21的晶片W的周缘部Wc靠外侧。在隔挡壁27d设置有沿其周向排列的多个贯通孔27f。底壁27a之中外周壁27c隔挡壁27d之间的区域，与未图示的排液流路连接。从该排液流路将从液体供给部22～25喷嘴N1～N8供给的药液和冲洗液排出到外部。底壁27a之中内周壁27b和隔挡壁27d之间的区域与排气流路50连接。由送风机形成的下降流通过隔挡壁27d的贯通孔27f，流入由底壁27a、内周壁27b、隔挡壁27d和斜壁27e包围的空间内，从该排气流路50排出到外部。排气流路50的详细情况在后文述说。斜壁27e将内周壁27b的上端部与隔挡壁27d的上端部连接。因此，斜壁27e随着向外侧去而向下方倾斜。在斜壁27e安装有喷嘴N5～N8。具体而言，喷嘴N5、N6位于与斜壁27e之中的在图2中比旋转保持部21靠左下侧处。晶片W在从上方观察时在顺时针的正转方向第二方向旋转的情况下，使用喷嘴N5、N6。喷嘴N7、N8位于与斜壁27e之中的在图3中比旋转保持部21靠右下侧处。晶片W在从上方观察时在逆时针的反转方向第一方向旋转的情况下，使用喷嘴N7、N8。[排气流路的构成]接着，参照图3～图6，说明排气流路50的构成。排气流路50是将处理单元16中的因基片处理而产生的废气排出到外部配管的流路。排气流路50包括内管51排气管、外管52、流入口53、中间流路54、液体供给部60参照图5和排气切换装置70排出目的地设定部。流入口53是流入来自处理单元16的废气的部分。中间流路54是将内管51与流入口53连结的部分。内管51是构成为能够将由基片处理产生的废气有选择地排出到作为外部配管的酸性药液用配管150第一配管或者碱性药液用配管160第二配管的任一者的配管。内管51形成为有底圆筒状。即，内管51在轴向上与中间流路54相连的一侧的面开放，并且相反侧的面底面与排气切换装置70的连接部72后述相连。内管51构成为能够利用排气切换装置70而绕轴旋转。在内管51的侧面，在轴向的彼此不同的区域具有与酸性药液用配管150相连的第一区域51x和与碱性药液用配管160相连的第二区域51y。酸性药液用配管150和碱性药液用配管160是在与内管51的侧面交叉的方向上延伸的外部配管。第一区域51x是在旋转的内管51的侧面能够与酸性药液用配管150相连的所有区域，具体而言，是在内管51的侧面轴向的位置与酸性药液用配管150的区域相同的所有区域周向所有的区域。同样地，第二区域51y是在旋转的内管51的侧面能够与碱性药液用配管160相连的所有区域，具体而言，在内管51的侧面轴向的位置与酸性药液用配管150的区域相同的全部区域周向所有的区域。在内管51中，在第一区域51x的一部分，以内管51的内部与酸性药液用配管150连通的方式形成有贯通其侧面的第一贯通区域51a。另外，在内管51中，在第二区域51y的一部分，以内管51的内部与碱性药液用配管160连通的方式形成有贯通其侧面的第二贯通区域51b。而且，如图3和图6所示，第一贯通区域51a和第二贯通区域51b形成于在内管51的周向上彼此不同的区域。即，第一贯通区域51a和第二贯通区域51b形成于在内管51的轴向和周向上彼此不同的区域。由此，内管51中，在仅第一贯通区域51a和第二贯通区域51b的任一者与外部配管在第一贯通区域51a的情况下为酸性药液用配管150，在第二贯通区域51b的情况下为碱性药液用配管160连通，能够对酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的任一者排出废气。外管52是以覆盖内管51的外周的方式设置的配管。外管52中，其侧面中与酸性药液用配管150和碱性药液用配管160相连的区域参照图3贯通。如图3所示，外管52的内表面不与内管51的外表面相接触，外管52在隔开规定的距离的状态下覆盖内管51的外周。如图5所示，在外管52的侧面的上部设置有液体供给部60的喷嘴61a～61j。液体供给部60构成为从外部对内管51供给用于清洗的液体。如图5所示，液体供给部60包括药液源62第一供给部、冲洗液源63第二供给部和喷嘴61a～61j。药液源62基于来自控制部18的控制信号来动作，将用于使附着在内管51等的附着物溶解的药液体供给到喷嘴61a、61c、61e、61g、61i。附着在内管51等的附着物是附着在内管51的外周面、内管51的内周面和排气切换装置70的连接部72等的附着物，例如是包含因在基片处理时使用的酸性的药液和碱性的药液反应而产生的结晶盐的附着物。从药液源62供给的药液例如是DHF稀氟酸。药液源62例如可以包括未图示的药液罐、从药液罐压送药液的泵和控制药液的流通的ONOFF的阀。冲洗液源63基于来自控制部18的控制信号来动作，将用于洗去药液和附着物的溶解成分的冲洗液体供给到喷嘴61b、61d、61f、61h、61j。从冲洗液源63供给的冲洗液例如是纯水。冲洗液源63例如可以包括未图示的药液罐、从药液罐压送药液的泵和控制药液的流通的ONOFF的阀。喷嘴61a～61j设置于外管52详细而言，在外管的上部，对内管51排出液体。喷嘴61a、61c、61e、61g、61i将从药液源62供给的药液排出到内管51。喷嘴61b、61d、61f、61h、61j例如在由喷嘴61a、61c、61e、61g、61i进行了药液的排出后，将从冲洗液源63供给的冲洗液排出到内管51。如图5所示，喷嘴61a～61j从外管52的里侧向入口侧靠近流入口53的一侧去依次排列有喷嘴61a、喷嘴61b、喷嘴61c、喷嘴61d、喷嘴61e、喷嘴61f、喷嘴61g、喷嘴61h、喷嘴61i、喷嘴61j。在图5所示的例子中，在外管52的轴向上，彼此交替地设置有将从药液源62供给的药液排出到内管51的喷嘴喷嘴61a、61c、61e、61g、61i和将从冲洗液源63供给的冲洗液排出到内管51的喷嘴喷嘴61b、61d、61f、61h、61j，但是喷嘴的配置不限于此。排气切换装置70通过使内管51旋转，将废气的排出目的地设定为酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的任一者参照图3。如图5所示，排气切换装置70包括旋转轴部71、连接部72和旋转驱动部73。连接部72是与内管51连接的部分。旋转轴部71与连接部72连接，是基于从旋转驱动部73施加的力而旋转的部分。旋转驱动部73例如是以电动机等为动力源的致动器。旋转驱动部73基于来自控制部18的动作信号来动作，使旋转轴部71旋转。旋转轴部71的旋转力经由连接部72传递到内管51。即，内管51与旋转轴部71和连接部72一起旋转。[控制部的构成]如图7所示，控制部18作为功能模块，包括液体供给控制部81、旋转控制部82、温度调节控制部83和排气切换控制部84。在此，以下，作为基片处理装置10进行的处理基片处理，区别并说明以除去晶片W的膜F为目的的晶片主处理和以清洗杯体27和排气流路50为目的的杯体清洗处理。杯体清洗处理例如是在进行了晶片主处理后在旋转保持部21保持着晶片W的状态下进行的。杯体清洗处理例如是这样的处理：对旋转的晶片W的背面Wb供给冲洗液，该冲洗液因离心力从晶片W的外周缘附近被甩掉而到达杯体27，以清洗杯体27。液体供给控制部81控制液体供给部22、23、24、25、60以供给液体。液体供给控制部81在晶片主处理中控制液体供给部22、23、24、25。在晶片主处理中，根据晶片W的旋转方向而被控制的液体供给部不同。即，液体供给控制部81在晶片W在正转方向旋转的情况下，控制液体供给部22或者液体供给部23以从液体供给部22、23之中供给碱性的药液的液体供给部供给药液，并且控制液体供给部24，以从喷嘴N5、N6供给液体。另外，液体供给控制部81在晶片W在反转方向旋转的情况下，控制液体供给部22或者液体供给部23以从液体供给部22、23之中供给酸性的药液的液体供给部供给药液，并且控制液体供给部25以从喷嘴N7、N8供给液体。液体供给控制部81在杯体清洗处理中控制液体供给部24、25、60。在杯体清洗处理中，根据晶片W的旋转方向而被控制的液体供给部也不同。即，液体供给控制部81在晶片W在正转方向旋转的情况下，控制冲洗液源24b以从喷嘴N6供给液体。另外，液体供给控制部81在晶片W在反转方向旋转的情况下，控制冲洗液源25b以从喷嘴N8供给液体。液体供给控制部81在杯体清洗处理中控制液体供给部60，使得无关晶片W的旋转方向而从喷嘴61a～61j对内管51供给液体。液体供给控制部81控制液体供给部60，使得根据排气切换控制部84的控制对旋转的内管51供给液体。更详细而言，液体供给控制部81在控制药液源62以使得对旋转的内管51供给DHF之后，控制药液源63以使得对内管51供给冲洗液。旋转控制部82控制旋转驱动部21b使得保持部21a绕旋转轴Ax旋转。旋转控制部82在晶片主处理和杯体清洗处理的任一者中，都能够将保持于保持部21a的晶片的旋转方向在正转方向和反转方向之间切换。旋转控制部82例如在晶片W控制旋转驱动部21b，使得晶片W在反转方向旋转规定时间后，在正转方向旋转规定时间。温度调节控制部83控制温度调节部26以加热晶片W。排气切换控制部84控制排气切换装置70以使内管51旋转，来切换废气的排出目的地酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160。排气切换控制部84根据晶片W的旋转方向切换排出目的地。排气切换控制部84在晶片W在正转方向旋转的情况下，控制排气切换装置70，使得内管51中的排出目的地成为碱性药液用配管160。另外，排气切换控制部84在晶片W在反转方向旋转的情况下，控制排气切换装置70，使得内管51中的排出目的地成为酸性药液用配管150。并且，在杯体清洗处理中，排气切换控制部84控制排气切换装置70，使得在晶片W的旋转中内管51旋转而切换排出目的地。即，排气切换控制部84控制排气切换装置70，使得在晶片W在正转方向旋转时，内管51旋转，内管51的排出目的地从碱性药液用配管160切换为酸性药液用配管150。另外，排气切换控制部84控制排气切换装置70，使得在晶片W在反转方向旋转时内管51旋转，内管51的排出目的地从酸性药液用配管150切换为碱性药液用配管160。此外，排气切换控制部84控制排气切换装置70，使得进行了旋转中的排出目的地的切换后经过规定时间之后，内管51在返回原来的排出目的地与晶片W的旋转方向相应的排出目的地的方向旋转。[晶片处理方法]接着，参照图8，说明利用上述的处理单元16处理晶片W的方法。在此，参照图8，说明杯体清洗处理工序。如上所述，在执行了晶片主处理之后，执行本实施方式中的杯体清洗处理。因此，在开始杯体清洗处理时，为旋转晶片W保持于保持部21的状态。在杯体清洗处理中，首先，控制部18控制旋转保持部21使晶片W以规定的转速在反转方向逆时针旋转步骤S1。此时的转速例如可以为几10rpm例如10rpm～3000rpm，也可以为1000rpm。此外，在晶片W开始旋转时，使内管51中的废气的排出目的地为酸性药液用配管150。在该状态下，控制部18控制液体供给部25、60以开始由液体供给部25、60供给液体步骤S2。即，控制部18控制冲洗液源25b，从喷嘴N8将冲洗液体供给到晶片W的背面Wb。另外，控制部18控制冲洗液源63，从喷嘴61b、61d、61f、61h、61j将冲洗液体供给到内管51。接着，控制部18判断从晶片W开始旋转向反转方向旋转后是否经过规定的第一时间步骤S3。规定的第一时间例如可以为30秒～50秒。在步骤S3中直至判断为经过了规定的第一时间为止，反复步骤S3的处理。在步骤S3中判断为经过了规定的第一时间的情况下，控制部18将内管51中的废气的排出目的地从酸性药液用配管150切换为碱性药液用配管160步骤S4。即，控制部18控制排气切换装置70，使得内管51旋转内管51中的废气的排出目的地从酸性药液用配管150切换为碱性药液用配管160。此外，也可以为在该内管51旋转的时段中，控制部18控制液体供给部60，使得向内管51供给的液体仅在规定时间为DHF。即，也可以为控制部18与该内管51的开始时刻相配合地控制冲洗液源63以停止供给冲洗液，并且控制控制药液源62开始从喷嘴61a、61c、61e、61g、61i供给DHF。在该情况下，控制部18控制液体供给部60，使得在经过规定时间例如15秒后，对内管51供给的液体重新变回冲洗液。由此，能够实现在对旋转的内管51供给了DHF后，对该内管51供给冲洗液的构成。接着，控制部18判断在进行步骤S4的排出目的地切换处理后是否经过规定的第二时间步骤S5。规定的第二时间例如可以为20秒～40秒。在步骤S5中直至判断为经过了规定的第二时间为止，反复步骤S5的处理。在步骤S5中判断为经过了规定的第二时间的情况下，控制部18控制排气切换装置70，使得内管51中的废气的排出目的地回到原来的排出目的地即酸性药液用配管150排出目的地从碱性药液用配管160切换为酸性药液用配管150步骤S6。接着，控制部18判断从晶片W开始旋转向反转方向旋转开始后是否经过规定的第三时间步骤S7。规定的第三时间例如为100秒～120秒。在步骤S7中直至判断为经过了规定的第三时间为止，反复步骤S7的处理。在步骤S7中判断为经过了规定的第三时间的情况下，控制部18控制液体供给部25、60，使得停止由液体供给部25、60供给液体步骤S8。然后，控制部18控制旋转保持部21使晶片W停止旋转步骤S9。接着，控制部18控制排气切换装置70，使得内管51中的废气的排出目的地从酸性药液用配管150切换为碱性药液用配管160步骤S10。在该状态下，控制部18控制旋转保持部21使晶片W以规定的转速在正转方向顺时针旋转步骤S11。此时的转速例如可以为几10rpm例如10rpm～3000rpm，也可以为1000rpm。然后，控制部18控制液体供给部24、60以开始由液体供给部24、60供给液体步骤S12。即，控制部18控制冲洗液源24b，从喷嘴N6将冲洗液体供给到晶片W的背面Wb。另外，控制部18控制冲洗液源63以从喷嘴61b、61d、61f、61h、61j将冲洗液体供给到内管51。接着，控制部18判断从晶片W开始旋转向正转方向的旋转后是否经过规定的第四时间步骤S13。规定的第四时间例如可以为30秒～50秒。在步骤S13中直至判断为经过了规定的第四时间为止，反复步骤S13的处理。在步骤S13中判断为经过了规定的第四时间的情况下，控制部18将内管51中的废气的排出目的地从碱性药液用配管160切换为酸性药液用配管150步骤S4。即，控制部18控制排气切换装置70，使得内管51旋转内管51中的废气的排出目的地从碱性药液用配管160切换为酸性药液用配管150。此外，也可以为在该内管51旋转的时段中，控制部18控制液体供给部60，使得对内管51供给的液体仅在规定时间为DHF。即，控制部18与该内管51的开始时刻相配合地控制冲洗液源63以停止供给冲洗液，并且控制控制药液源62以从喷嘴61a、61c、61e、61g、61i开始供给DHF。在该情况下，控制部18控制液体供给部60，使得在经过规定时间例如15秒后，对内管51供给的液体重新变回冲洗液。由此，能够实现在对旋转的内管51供给了DHF后，对该内管51供给冲洗液的构成。接着，控制部18判断在进行步骤S14的排出目的地切换处理后是否经过规定的第五时间步骤S15。规定的第五时间例如可以为20秒～40秒。在步骤S15中直至判断为经过了规定的第二时间为止，反复步骤S15的处理。在步骤S15中判断为经过了规定的第五时间的情况下，控制部18控制排气切换装置70，使得内管51中的废气的排出目的地回到原来的排出目的地即碱性药液用配管160排出目的地从酸性药液用配管150切换为碱性药液用配管160步骤S16。接着，控制部18判断从晶片W开始旋转向正转方向的旋转开始后是否经过规定的第六时间步骤S17。规定的第六时间例如可以为100秒～120秒。在步骤S17中直至判断为经过了规定的第六时间为止，反复步骤S17的处理。在步骤S17中判断为经过了规定的第六时间的情况下，控制部18控制液体供给部24、60，使得停止由液体供给部24、60供给液体步骤S18。然后，控制部18控制旋转保持部21使晶片W停止旋转步骤S19。[作用]一般而言，基片处理装置具有用于将因液体处理产生的废气排出到外部的排气管。这样的排气管是例如对与供给到晶片的药液的性质酸性或者碱性相应的外部配管排出废气的排气管，构成为例如通过旋转来切换连通的外部配管废气的排出目的地。在此，在排气管的侧面外周面和内周面等附着与排出废气有关的附着物例如，因酸性的药液和碱性的药液反应而产生的结晶。一直以来，难以有效地清洗这样的附着物，例如存在定期地进行仅用于清洗该附着物的处理的情况，该附着物妨碍高效的基片处理。对于这样的技术问题，本实施方式的基片处理装置10包括：内管51，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的任一者；液体供给部60，其从外侧对内管51供给用于清洗的液体；排气切换装置70，其通过使内管51旋转，将废气的排出目的地设定切换为酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的任一者；和包含控制部18的控制装置4，控制部18构成为能够执行：控制排气切换装置70以使内管51旋转的操作；和控制液体供给部60以对旋转的内管51供给液体的操作。在这样的基片处理装置10中，对旋转的内管51供给清洗用的液体例如DHF。如此，一边使内管51旋转一边对内管51供给液体，由此能够有效地对内管51的侧面整周供给液体。而且，在内管51形成有贯通侧面的第一贯通区域51a和第二贯通区域51b，因此清洗用的液体不仅被供给到内管51的外周面，也被供给到内管51的内周面。由此，内管51的外周面和内周面整周被液体清洗，能够有效地清洗附着在内管51的外周面和内周面的附着物结晶。另外，基片处理装置10还包括保持晶片W并使其旋转的旋转保持部21，如上述的图8的步骤S1～S4所记载的那样，控制部18控制排气切换装置70，以在晶片W旋转的期间使内管51旋转。如此，在晶片W旋转的杯体清洗处理中，内管51旋转而对内管51供给液体，由此，能够在杯体清洗处理中除去内管51的附着物，无需仅为了除去内管51的附着物而另行设置清洗时间，因此能够实现更高效的基片处理。此外，与对晶片W的表面Wa供给酸性或者碱性的药液的晶片主处理相比，在杯体清洗处理中，在内管51流动的酸性或者碱性的药液的废气的量是少量的。因此，在晶片W旋转的期间执行使内管51旋转而改变内管51中的排出目的地酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的处理的情况下，在酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160中流动的性质酸性或者碱性不同的废气是少量的，不会造成问题。另外，液体供给部60包括供给DHF的药液源62和供给冲洗液的冲洗液源63，控制部18在控制药液源62以使得对旋转的内管51供给DHF之后，控制冲洗液源63以使得对内管51供给冲洗液。由此，在利用DHF使附着于内管51的附着物溶解后，能够利用冲洗液例如纯水洗去附着物的溶解成分，能够更有效地清洗附着物。另外，内管51形成为圆筒状，在其侧面在轴向的彼此不同的区域有与酸性药液用配管150相连的第一区域51x和与碱性药液用配管160相连的第二区域51y，在第一区域51x的一部分形成有以内管51的内部与酸性药液用配管150连通的方式贯通侧面的第一贯通区域51a，在第二区域51y的一部分形成有以内管51的内部与碱性药液用配管160连通的方式贯通侧面的第二贯通区域51b，第一贯通区域51a和第二贯通区域51b形成于内管51的周向上彼此不同的区域。即，第一贯通区域51a和第二贯通区域51b形成于内管51的轴向和周向上彼此不同的区域。由此，能够实现仅内管51的第一贯通区域51a和第二贯通区域51b的任一者与外部配管在第一贯通区域51a的情况下为酸性药液用配管150，在第二贯通区域51b的情况下为碱性药液用配管160连通的构成。由此，能够通过简单的构成，来实现仅将废气排出到酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160的任一者的构成。[变形例]以上，对本发明的实施方式详细地进行了说明，但是，在本发明的主旨的范围内能够上述的实施方式的基础上增加各种变形。例如，说明了在杯体清洗处理中一边使内管51旋转一边对内管51供给液体以除去内管51的附着物的例子，不过也可以在晶片主处理中执行用于除去内管51的附着物的处理。但是，如上所述，由于通过使内管51旋转而废气的排出目的地酸性药液用配管150或者碱性药液用配管160改变，因此在对晶片W的表面Wa供给酸性或者碱性的药液的晶片主处理中不能无条件地使内管51旋转。在这方面，在晶片主处理中，当晶片W的旋转方向改变时，存在对晶片W的液体供给暂时停止的时间段，即使在该时间段中进行一边使内管51旋转一边对内管51供给液体的处理除去内管51的附着物的处理，在基片处理中也不会导致任何问题。因此，只要是在对晶片W的液体供给暂时停止的期间，即使在晶片主处理中也可以进行除去内管51的附着物的处理。即，可以为控制部18在晶片主处理中，在晶片W的旋转方向从第一方向例如反转方向切换为第二方向例如正转方向时的晶片W的停止时段中，控制排气切换装置70以使内管51旋转。图9是表示包含除去内管51的附着物的处理的、晶片主处理工序的流程图。此外，在对以下的晶片主处理的说明中，液体供给部23供给酸性的药液，液体供给部22供给碱性的药液。另外，在以下的说明中，有时省略与上述图8的处理重复的说明。在晶片主处理中，最初，控制部18控制旋转保持部21以使晶片W保持在旋转保持部21步骤S101。接着，控制部18控制旋转保持部21以使晶片W以规定的转速在反转方向逆时针旋转步骤S102。此外，在晶片W开始旋转时，内管51中的废气的排出目的地为酸性药液用配管150。在该状态下，控制部18控制液体供给部23、25开始由液体供给部23、25供给液体步骤S103接着，控制部18判断从晶片W开始旋转向反转方向旋转后是否经过规定时间步骤S104。在步骤S104中直至判断为经过了规定时间为止，反复步骤S104的处理。在步骤S104中判断为经过了规定时间的情况下，控制部18控制液体供给部23、25以停止由液体供给部23、25供给液体步骤S105。然后，控制部18控制旋转保持部21以使晶片W停止旋转步骤S106。在晶片W停止旋转而不对晶片W供给液体的状态下，控制部18将内管51中的废气的排出目的地从酸性药液用配管150切换为碱性药液用配管160，并且控制液体供给部60以开始由液体供给部60对内管51供给液体步骤S107。接着，控制部18判断是否经过规定的晶片旋转停止时间步骤S108。在步骤S108中直至判断为经过了晶片旋转停止时间为止，反复步骤S108的处理。在步骤S108中判断为经过了晶片旋转停止时间的情况下，控制部18控制液体供给部60以停止由液体供给部60对内管51供给液体。然后，控制部18控制旋转保持部21使晶片W以规定的转速在正转方向顺时针旋转步骤S110。另外，控制部18控制液体供给部22、24开始由液体供给部22、24供给液体步骤S111。接着，控制部18判断从晶片W开始旋转向正转方向旋转后是否经过规定时间步骤S112。在步骤S112中直至判断为经过了规定时间为止，反复步骤S112的处理。在步骤S112中判断为经过了规定时间的情况下，控制部18控制液体供给部22、24，以停止由液体供给部22、24供给液体步骤S113。然后，控制部18控制旋转保持部21以使晶片W停止旋转步骤S114。以上是包含除去内管51的附着物的处理的晶片主处理工序。另外，关于液体供给部60，说明了供给作为液体的DHF和冲洗液的情况，不过也可以仅供给任一者。

权利要求：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：排气管，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的第一配管或者第二配管的任一者；液体供给部，其从外部对所述排气管供给用于清洗的液体；排出目的地设定部，其通过使所述排气管旋转，将所述废气的排出目的地设定为所述第一配管或者所述第二配管的任一者；和控制部，所述控制部构成能够为执行：控制所述排出目的地设定部以使所述排气管旋转的操作；和控制所述液体供给部以对旋转的所述排气管供给所述液体的操作。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：保持所述基片并使其旋转的旋转保持部，所述控制部控制所述排出目的地设定部，以在所述基片旋转的期间使所述排气管旋转。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：保持所述基片并使其旋转的旋转保持部，所述旋转保持部在使所述基片在第一方向旋转后，使所述基片在与该第一方向相反的方向即第二方向旋转，所述控制部控制所述排出目的地设定部，使得在所述基片的旋转方向从所述第一方向切换为所述第二方向时的所述基片的停止时段中，使所述排气管旋转。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述液体供给部排出作为所述液体的稀氟酸和冲洗液的至少任一者。5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述液体供给部包括供给所述稀氟酸的第一供给部和供给所述冲洗液的第二供给部，所述控制部在控制所述第一供给部以使得对旋转的所述排气管供给所述稀氟酸后，控制所述第二供给部以使得对所述排气管供给所述冲洗液。6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述排气管形成为圆筒状，在其侧面在轴向彼此不同的区域具有与所述第一配管相连的第一区域和与所述第二配管相连的第二区域，在所述第一区域的一部分形成有以所述排气管的内部与所述第一配管连通的方式贯通所述侧面的第一贯通区域，在所述第二区域的一部分形成有以所述排气管的内部与所述第二配管连通的方式贯通所述侧面的第二贯通区域，所述第一贯通区域和所述第二贯通区域形成于所述排气管的周向上彼此不同的区域。7.一种基片处理方法，其特征在于，包括：通过使排气管旋转，将废气的排出目的地设定为作为所述外部配管的第一配管或者第二配管的任一者的工序，其中所述排气管用于将因基片处理而产生的所述废气排出到外部配管；和对旋转的所述排气管排出液体，清洗所述排气管的工序。8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：在利用保持所述基片并使其旋转的旋转保持部来旋转所述基片时，使所述排气管旋转。9.如权利要求7或8所述的基片处理方法，其特征在于：在利用保持所述基片并使其旋转的旋转保持部来切换所述基片的旋转方向时的所述基片的停止时段中，使所述排气管旋转。10.如权利要求7或8所述的基片处理方法，其特征在于：在对旋转的所述排气管排出作为所述液体的所述稀氟酸后，对旋转的所述排气管排出作为所述液体的冲洗液。11.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：存储有用于使基片处理装置执行权利要求1、2、7或8中任一项所述的基片处理方法的程序。

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