申请/专利权人：日新离子机器株式会社

申请日：2019-12-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111640639B

主分类号：H01J37/08

分类号：H01J37/08;H01J37/32

优先权：["20190301 JP 2019-037302"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2020.09.08#公开

摘要：本发明提供一种离子源及其清洁方法，该离子源在宽范围内向电极表面照射离子束来除去电极上的沉积物。一种离子源1，向配置在等离子体容器2下游的抑制电极3照射由清洁气体生成的离子束IB来清洁抑制电极3，其中，离子源1具有驱动机构5，该驱动机构5调整等离子体容器2与抑制电极3之间的距离，离子源1包括控制装置C，该控制装置C在进行清洁之前，控制驱动机构5而使抑制电极3或等离子体容器2向第一方向移动，扩大等离子体容器2与抑制电极3之间的距离。

主权项：1.一种离子源，向配置在等离子体容器下游的抑制电极持续照射由清洁气体生成的离子束至作出清洁结束的判断为止，从而清洁所述抑制电极，其中，所述离子源具有驱动机构，该驱动机构调整所述等离子体容器与所述抑制电极之间的距离，所述离子源包括控制装置，该控制装置在进行清洁之前，控制所述驱动机构而使所述抑制电极向第一方向移动，扩大所述等离子体容器与所述抑制电极之间的距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日新离子机器株式会社 离子源及其清洁方法

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