申请/专利权人：杰华特微电子股份有限公司

申请日：2020-06-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111767690B

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.11.19#著录事项变更;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：本发明公开了一种基于LVS工具的盆区检测方法，包括：在所述LVS工具中添加盆区电压作为新的属性；获取芯片电路中多个目标器件的盆区电压，并将所述多个目标器件的盆区电压对应的添加至网表中；基于所述芯片电路绘制版图，并基于第一距离参数和第二距离参数定义所述版图中的多个盆区的盆区电压；将所述多个目标器件对应的放置于所述多个盆区中，并将定义的所述多个盆区的盆区电压对应的传递给所述多个目标器件；对比所述网表中每个目标器件的盆区电压与对应的盆区传递的盆区电压是否一致，并在不一致时进行报错。本发明提升了对器件盆区的检测效率和检测准确率。

主权项：1.一种基于LVS工具的盆区检测方法，其特征在于，所述方法包括：在所述LVS工具中添加盆区电压作为新的属性；获取芯片电路中多个目标器件的盆区电压，并将所述多个目标器件的盆区电压对应的添加至网表中；基于所述芯片电路绘制版图，并基于第一距离参数和第二距离参数定义所述版图中的多个盆区的盆区电压；将所述多个目标器件对应的放置于所述多个盆区中，并将定义的所述多个盆区的盆区电压对应的传递给所述多个目标器件；对比所述网表中每个目标器件的盆区电压与对应的盆区传递的盆区电压是否一致，并在不一致时进行报错，其中，所述第一距离参数为所述多个盆区中每个盆区对应的深阱区与相邻的N型阱区的最小距离，所述第二距离参数为所述多个盆区中每个盆区对应的深阱区与相邻的P型阱区的最小距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杰华特微电子股份有限公司 基于LVS工具的盆区检测方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD