申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113125920B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：一种工艺传感器，用于检测工艺角，包括：自偏置基准电路，包括第一基准电路和第二基准电路，第一基准电路包括第一三极管和第二三极管，第一基准电路适于输出第二三极管的基极‑发射极电压作为第一参考电压；第二基准电路包括第一NMOS晶体管，第二基准电路适于输出所述第一NMOS晶体管的漏极电压作为第二参考电压；第一电压电流转换电路，适于根据第一参考电压输出与第一参考电压成正比例关系的第一电流；第二电压电流转换电路，适于根据第二参考电压输出与第二参考电压成正比例关系的第二电流；电流电压转换电路，适于获得输出电压，输出电压与第二参考电压和第一参考电压的差值相关。所述工艺传感提高对半导体加工工艺的检测精度，且降低结构复杂度。

主权项：1.一种工艺传感器，用于检测工艺角，其特征在于，所述工艺传感器包括：自偏置基准电路，包括第一基准电路和第二基准电路，所述第一基准电路包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极和集电极接地，所述第二三极管的基极和集电极接地，所述第二三极管的基极面积为所述第一三极管的基极面积的整数倍，所述第一基准电路适于输出所述第二三极管的基极-发射极电压作为第一参考电压，所述第二基准电路包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极短接，所述第一NMOS晶体管的源极接地，所述第二基准电路适于输出所述第一NMOS晶体管的漏极电压作为第二参考电压，所述第二参考电压和第一参考电压均具有负温度系数；第一电压电流转换电路，与所述第一基准电路耦接，适于接收所述第一参考电压并根据所述第一参考电压输出第一电流，所述第一电流与所述第一参考电压成正比例关系；第二电压电流转换电路，与所述第二基准电路耦接，适于接收所述第二参考电压并根据所述第二参考电压输出第二电流，所述第二电流与所述第二参考电压成正比例关系；电流电压转换电路，与所述第一电压电流转换电路以及所述第二电压电流转换电路耦接，适于根据所述第一电流和第二电流获得输出电压，所述输出电压与所述第二参考电压和第一参考电压的差值相关。

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