申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2018-05-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750869A

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/85

优先权：["20170721 US 62/535,792","20180104 US 15/862,301"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本文中的实施方式提供用于在基板上形成磁性隧道结MTJ结构的膜堆叠，包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上；第一钉扎层，设置在所述种晶层上；合成亚铁磁体SyF耦合层，设置在所述第一钉扎层上；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；结构阻挡层，设置在所述第二钉扎层上；磁性参考层，设置在所述结构阻挡层上；隧道势垒层，设置在所述磁性参考层上；磁性存储层，设置在所述隧道势垒层上；覆盖层，设置在所述磁性存储层上，其中所述覆盖层包含一个或多个层；和硬掩模，设置在所述覆盖层上，其中所述覆盖层、所述缓冲层和所述SyF耦合层的至少一个不由Ru制造。

主权项：1.一种形成磁性隧道结结构的方法，所述方法包含以下步骤：形成膜堆叠，所述膜堆叠包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上方；第一钉扎层，设置在所述种晶层上方；合成亚铁磁体SyF耦合层，设置在所述第一钉扎层上方；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上方；结构阻挡层，设置在所述第二钉扎层上方；磁性参考层，设置在所述结构阻挡层上方；隧道势垒层，设置在所述磁性参考层上方；磁性存储层，设置在所述隧道势垒层上方；覆盖层，设置在所述磁性存储层上方，和硬掩模，设置在所述覆盖层上方，其中所述覆盖层、所述缓冲层或所述SyF耦合层的至少一个不由Ru制造；和形成磁性隧道结结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 适于高温热处理的磁性隧道结

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