申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766605A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/107;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明涉及一种低增益雪崩探测器及其制作方法。方法包括：在预制的半导体结构中形成P+增益层；所述预制的半导体结构包括衬底，以及在所述衬底上表面依次垂直堆叠的P型掺杂层、氧化层和光刻胶，以及至少一个凹槽；所述凹槽贯穿所述光刻胶但不贯穿所述氧化层，使所述氧化层包括形成所述凹槽侧壁的场氧层和形成所述凹槽底壁的阱氧层；所述凹槽具有倾斜的侧壁，使凹槽呈开口大底部小的形状；所述形成P+增益层的方法包括：在所述凹槽处向所述P型掺杂层注入P型离子，并且注入方向与所述凹槽的侧壁的夹角≤10°。本发明提升了LGAD探测器的良率，保证探测器拥有较好的击穿电压均一性。

主权项：1.一种低增益雪崩探测器的制作方法，其特征在于，在预制的半导体结构中形成P+增益层；所述预制的半导体结构包括衬底，以及在所述衬底上表面依次垂直堆叠的P型掺杂层、氧化层和光刻胶，以及至少一个凹槽；所述凹槽贯穿所述光刻胶但不贯穿所述氧化层，使所述氧化层包括形成所述凹槽侧壁的场氧层和形成所述凹槽底壁的阱氧层；所述凹槽具有倾斜的侧壁，使凹槽呈开口大底部小的形状；所述形成P+增益层的方法包括：在所述凹槽处向所述P型掺杂层注入P型离子，并且注入方向与所述凹槽的侧壁的夹角≤10°。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种低增益雪崩探测器及其制作方法

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